南昌大學(xué)論文格式樣板(文件)
【正文】 依然比你努力。最值得欣賞的風(fēng)景，是自己奮斗的足跡。贈(zèng)語(yǔ)； 如果我們做與不做都會(huì)有人笑，如果做不好與做得好還會(huì)有人笑，那么我們索性就做得更好，來(lái)給人笑吧！ 現(xiàn)在你不玩命的學(xué)，以后命玩你。電子文獻(xiàn)載體類(lèi)型標(biāo)志：磁帶 MT；磁盤(pán) DK；光盤(pán) CD；聯(lián)機(jī)網(wǎng)絡(luò) OL。104~180。10470059GaN/Al2O3光致發(fā)光180。1．2 III族氮化物的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì) …………表11 用不同技術(shù)得到的帶隙溫度系數(shù)、Eg0、ac和T0的值樣品類(lèi)型實(shí)驗(yàn)方法帶隙溫度系數(shù)dEg/dT(eV/K)T=300KEg0(eV)ac (eV/K)T0 (K)參考文獻(xiàn)GaN/Al2O3光致發(fā)光180。III－Ⅴ族氮化物半導(dǎo)體材料及器件研究歷時(shí)30余年，前20年進(jìn)展緩慢，后10年發(fā)展迅猛。 在科學(xué)技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程中，材料永遠(yuǎn)扮演著重要角色。并獲得了如下有創(chuàng)新和有意義的研究結(jié)果：1．首次提出了采用偏離化學(xué)計(jì)量比的緩沖層在大晶格失配的襯底上生長(zhǎng)單晶膜的思想，并在GaN外延生長(zhǎng)上得以實(shí)現(xiàn)。盡管如此，這項(xiàng)高技術(shù)仍處于高度保密狀態(tài)，材料生長(zhǎng)的關(guān)鍵思想及核心技術(shù)仍未公開(kāi)，還無(wú)法從參考文獻(xiàn)及專(zhuān)利公報(bào)中獲取最重要的材料生長(zhǎng)信息。 保密□，在 年解密后適用本授權(quán)書(shū)。對(duì)本文的研究作出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均已在文中以明確方式表明。七、參考文獻(xiàn)：“參考文獻(xiàn)”四字四號(hào)宋體，參考文獻(xiàn)內(nèi)容小四號(hào)宋體，其中英文用小四號(hào)Times New Roman 體。三、頁(yè)眉和頁(yè)碼：頁(yè)眉和頁(yè)碼從中文摘要開(kāi)始，頁(yè)眉為相應(yīng)內(nèi)容的標(biāo)題，頁(yè)碼從中文摘要、Abstract、目錄用羅馬數(shù)字(I，II，III……)編排，從正文第一章開(kāi)始按照阿拉伯?dāng)?shù)字（1，2，3……）編排。二、目錄：“目錄”兩字小三號(hào)宋體加粗，目錄內(nèi)容小四號(hào)宋體，頁(yè)碼數(shù)字對(duì)齊。六、圖表：圖表內(nèi)容五號(hào)宋體。除了文中特別加以標(biāo)注引用的內(nèi)容外，本論文不包含任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)的成果。本人授權(quán)南昌大學(xué)可以將本論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存和匯編本學(xué)位論文。自1994年日本日亞化學(xué)工業(yè)公司率先在國(guó)際上突破了GaN基藍(lán)光LED外延材料生長(zhǎng)技術(shù)以來(lái)，美、日等國(guó)十余家公司相繼報(bào)導(dǎo)掌握了這項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，并分別實(shí)現(xiàn)了批量或小批量生產(chǎn)GaN基LED。通過(guò)設(shè)計(jì)并優(yōu)化外延片多層結(jié)構(gòu)，生長(zhǎng)的藍(lán)光LED外延片質(zhì)量達(dá)到了目前國(guó)際上商品化的中高檔水平。關(guān)鍵詞：氮化物； MOCVD； LED；盧瑟福背散射溝道；光致發(fā)光；光透射譜 參考. . . .頁(yè)眉：外文Times New Roman，五號(hào)，居中Times New Roman，小二號(hào)，居中Study on MOCVD growth and properties of IIIⅤnitrides and high brightness blue LED wafersAbstract標(biāo)題：Times New Roman，四號(hào)，兩端對(duì)齊，內(nèi)容：Times New Roman，小四，兩端對(duì)齊，關(guān)鍵詞：“Keyword”三字加粗，關(guān)鍵詞用“；”分隔 GaN based ⅢⅤ nitrides have potential applications on high brightness LEDs, short wavelength lasers, ultraviolet detectors, hi
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