【正文】 6 5 4 3 2 1 0 秒寄存器 80H 81H 0059 CH 10SEC SEC 分寄存器 82H 83H 0059 0 10MIN MIN 小時(shí)寄存器 84H 85H 0112 或 0023 12/24 0 A HR HR 日寄存器 86H 87H 0128,29,30,31 0 0 10DATE DATE 月寄存器 88H 89H 0112 0 0 0 10M MONTH 南通紡織職業(yè)技術(shù)學(xué)院 基于 AT89S52 單片機(jī)的萬(wàn)年歷設(shè)計(jì) 24 周寄存器 8AH 8BH 0107 0 0 0 0 DAY 年份寄存器 8CH 8DH 0099 10YEAR YEAR 5） DS1302 的寄存器和控制命令 DS1302 工作是為了對(duì)任何數(shù)據(jù)傳送進(jìn)行初始化，需要 將要復(fù)位腳（ RST）置為高電平且將 8 位地址和命令信息裝入移位寄存器。此外， DS1302 還有年份寄存器、控制寄存器、充電寄存器、時(shí)鐘突發(fā)寄存器及與 RAM 相關(guān)的寄存器等。最低有效位 (位 0)如為 0 表示要進(jìn)行寫操作，為 1 表示進(jìn)行讀操作，控制字節(jié)總是從最低位開始輸出。 SCLK 為時(shí)鐘輸入端。 如果在傳送過(guò)程中 RST 置為低電平，則會(huì)終止此次數(shù)據(jù)傳送， I/O 引腳變?yōu)楦咦钁B(tài)。 RST 是復(fù)位 /片選線，通過(guò)把 RST 輸入驅(qū)動(dòng)置高電平來(lái)啟動(dòng)所有的數(shù)據(jù)傳送。 DS1302 由 Vcc1 或 Vcc2 兩者中的較大者供電。 DS1302 內(nèi)部有一個(gè) 31 8的用于臨時(shí)性存放數(shù)據(jù)的 RAM 寄存器。通過(guò)溫度采集芯片采集到外部溫度轉(zhuǎn)化之后，再通過(guò)單片機(jī)芯片的轉(zhuǎn)化然后輸出顯示。 6 0 u S ~ 2 4 0 u S 1 5 u S ~ 6 0 u S 1 5 u S ~ 6 0 u ST 0 T 1 T 2 T 3 T 44 8 0 u S 圖 初始化時(shí)序圖 (2). 寫時(shí)間隙 當(dāng)主機(jī)總線 to 時(shí)刻從高拉至低電平時(shí)就產(chǎn)生寫時(shí)間隙見圖 （ a）圖 （ b）從 to 時(shí)刻開始 15us 之內(nèi)應(yīng)將所需寫的位送到總線上 DSl820 在 t0 后 1560us間對(duì)總線采樣若低電平寫入的位是 0 見圖 （ a） ,若高電平寫入的位是 1,見圖（ b） ,連續(xù)寫 2 位間的間隙應(yīng)大于 1us。 DS18B20 測(cè)溫范圍 55℃ +125℃，以 ℃遞增。因此，要想獲得所需的分辨力，必須同時(shí)知道在給定溫度下計(jì)數(shù)器的值和每一度的計(jì)數(shù)值。如果計(jì)數(shù)器在門周期結(jié)束之前到達(dá) 0，則溫度寄存器（同樣被預(yù)置到 55℃）的值增加，表明所測(cè)溫度大于 55℃ 。 南通紡織職業(yè)技術(shù)學(xué)院 基于 AT89S52 單片機(jī)的萬(wàn)年歷設(shè)計(jì) 19 （ 4）熱制冷管道熱量計(jì)量，中央空調(diào)分戶熱能計(jì)量和工業(yè)領(lǐng)域測(cè)溫和控制 。 （ 10） PVC 電纜直接出線或德式球型接線盒出線 ,便于與其它電器設(shè)備連接。 （ 6）測(cè)量結(jié)果以 9～ 12 位數(shù)字量方式串行傳送。 （ 2）測(cè)溫范圍 － 55℃～＋ 125℃，固有測(cè)溫分辨率 ℃。 NC ：接空。用于讀寫和溫度轉(zhuǎn)換的電源可以 從數(shù)據(jù)線本身獲得，無(wú)需外部電源。 溫度采集電路設(shè)計(jì) 該產(chǎn)品采用美國(guó) DALLAS 公司生產(chǎn)的 DS18B20 可組網(wǎng)數(shù)字溫度傳感器芯片封裝而成，具有耐磨耐碰，體積小，使用方便，封裝形式多樣，適用于各種狹小空間設(shè)備數(shù)字測(cè)溫和控制領(lǐng)域。 表 29 數(shù)字 07 寄存器（地址 = X1H – X8H） 7 段 寄存器數(shù)據(jù) 點(diǎn)亮段 南通紡織職業(yè)技術(shù)學(xué)院 基于 AT89S52 單片機(jī)的萬(wàn)年歷設(shè)計(jì) 16 字形 D7 D6D4 D3 D2 D1 D0 DP A B C D E F G 0 X 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 X 0 0 0 1 0 1 1 0 0 0 0 2 X 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1 3 X 0 0 1 1 1 1 1 1 0 0 1 4 X 0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 1 5 X 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1 1 6 X 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1 7 X 0 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 8 X 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 9 X 1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1 X 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 E X 1 0 1 1 1 0 0 1 1 1 1 H X 1 1 0 0 0 1 1 0 1 1 1 L X 1 1 0 1 0 0 0 1 1 1 0 P X 1 1 1 0 1 1 0 0 1 1 1 暗 X 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 注：小數(shù)點(diǎn) DP 由 D7 位控制， D7=1 點(diǎn)亮小數(shù)點(diǎn) . 顯示電路 圖 為 89S52 單片機(jī)與 MAX7219 的一種接口。 表 28 顯示測(cè)試寄存器（地址 = XFH） 工作方式 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 十六進(jìn)制代碼 停機(jī) X X X X X X X 0 X0H 顯示設(shè)置 X X X X X X X 1 X1H 數(shù)字 07 寄存器受譯碼器寄存器的控制：譯碼或不譯碼。 表 27 停機(jī)寄存器（地址 = XCH） 工作方式 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 十六進(jìn)制代碼 停機(jī) X X X X X X X 0 X0H 正常 X X X X X X X 1 X1H 顯示測(cè)試寄存器有兩種工作方式：正常和顯示測(cè)試。停機(jī)方式可用于節(jié)省功耗或使 LED 處于閃爍。因此， Rset 電阻的值必須按所顯示數(shù)字的位數(shù)多少適當(dāng)調(diào)整，以限制各個(gè)數(shù)字驅(qū)動(dòng)器的功耗。 表 25 亮度寄存器（地址 = XAH） 占空比（亮度） D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 十六進(jìn)制代碼 1/32（最小亮度） X X X X 0 0 0 0 X0H 3/32 X X X X 0 0 0 1 X1H 5/32 X X X X 0 0 1 0 X2H 29/32 X X X X 1 1 1 0 XEH 31/32（最大亮度） X X X X 1 1 1 1 XFH 掃描界限寄存器用于設(shè)置所顯示的數(shù)字位，可以為 18。來(lái)自段驅(qū)動(dòng)器的峰值電流通常為進(jìn)入 ISET 電流的 100 倍。 表 23 MAX7219 的內(nèi)部寄存器及其地址 寄存器 地址 D15D12 D11 D10 D9 D8 十六進(jìn)制代碼 NO – OP X 0 0 0 0 X0H 數(shù)字 0 X 0 0 0 1 X1H 數(shù)字 1 X 0 0 1 0 X2H 數(shù)字 2 X 0 0 1 1 X3H 數(shù)字 3 X 0 1 0 0 X4H 數(shù)字 4 X 0 1 0 1 X5H 數(shù)字 5 X 0 1 1 0 X6H 數(shù)字 6 X 0 1 1 1 X7H 數(shù)字 7 X 1 0 0 0 X8H 譯碼方式 X 1 0 0 1 X9H 亮度 X 1 0 1 0 XAH 掃描界限 X 1 0 1 1 XBH 停機(jī) X 1 1 0 0 XCH 南通紡織職業(yè)技術(shù)學(xué)院 基于 AT89S52 單片機(jī)的萬(wàn)年歷設(shè)計(jì) 14 顯示測(cè)試 X 1 1 1 1 XFH 下面以表格形式對(duì) MAX7219 內(nèi)部寄存器中不同數(shù)據(jù)所表示的含義進(jìn)行說(shuō)明。 8 個(gè)數(shù)字寄存器由一個(gè)片內(nèi) 8X8 雙端口 SRAM 實(shí)現(xiàn)，它們可以直接尋址；因此，可以對(duì)單個(gè)數(shù)字進(jìn)行更新；并且只要 V+超過(guò) 2V,數(shù)據(jù)就可以保留下去。 DIN 端的數(shù)據(jù)通過(guò)移位寄存器傳送，并在 個(gè)時(shí)鐘周期之后出現(xiàn)在 DOUT 端。 DOUT：串行數(shù)據(jù)輸出。最高時(shí)鐘頻率為10MHz，在 CLK 地上升沿串行數(shù)據(jù)被移入內(nèi)部移位寄存器，在 CLK 的下降沿?cái)?shù)據(jù)從 DOUT 移出。 LOAD：裝載數(shù)據(jù)輸入。在 CLK 時(shí)鐘的上升沿，串行數(shù)據(jù)被移入內(nèi)部移位寄存器。采用三線串行方式與單片機(jī)接口。詳情請(qǐng)參考上一節(jié)。當(dāng)各段陰極上的電平為 “0”時(shí)，該段就點(diǎn)亮；電平為 “1”時(shí)，段就熄滅。此外不少于 7 段數(shù)碼管顯示器在右下角帶有一個(gè)圓形的 LED 作小數(shù)點(diǎn)用，這樣一共 有 8 段，恰好適用于 8 位的并行系統(tǒng)。 ? 動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)方法：是給欲點(diǎn)亮的 LED 通過(guò)脈沖電流，此時(shí) LED 的脈沖電流倍數(shù)于其額定電流值。 多個(gè) LED 可接成共陰或共陽(yáng)極形式。 LED 是近似于恒壓的元器件，到導(dǎo)電時(shí)（發(fā)光）的正向壓降一般約為 或 ，反向擊穿電壓一般 ≥5V。上電與按鍵均有效的復(fù)位電路原理與上電復(fù)位原理相同，不同的是上電與按鍵均有效的復(fù)位電路 在單片機(jī)運(yùn)行期間，能用按鍵來(lái)控制復(fù)位操作晶振為 6MHz 時(shí)，電容 C1 為 22uF， R2 為200Ω 圖 （ a） 上電復(fù)位電路 圖 （ b） 上電與按鍵均有效復(fù)位電路 本設(shè)計(jì)中使用后者電路復(fù)位，就是可以在單片機(jī)運(yùn)行期間可以人工的復(fù)位。上電瞬間 RST 引腳獲得高電平，隨著電容 C1 的充電， RST引腳的高電平將逐漸下降。機(jī)器周期是指單片機(jī)完成一個(gè)基本操作所用的時(shí)間，當(dāng)外接石英晶體為 12MHz 時(shí)， 1 個(gè)機(jī)器周期為 1ms；當(dāng)外接石英晶體為 6MHz 時(shí)， 1 個(gè)機(jī)器周期為 1ms。由于 AT89S52 片內(nèi)帶有程序存儲(chǔ)器，當(dāng)使用片內(nèi)程序存儲(chǔ)器時(shí)要將 EA（ 31 腳）接高電平，即接到電源 +5V。 /EA/VPP： 當(dāng) /EA 保持低電平時(shí)，在此期間外部程序存器（ 0000HFFFFH），不管是否有內(nèi)部程序存儲(chǔ)器。 ： RD，外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的讀取信號(hào)。 ： INT1，外部中斷 1 輸入。 PORT3（ ～ ）：端口 3 也具有內(nèi)部提升電路的雙向 I/O 端口，其輸出緩沖器可以推動(dòng) 4 個(gè) TTL 負(fù)載，同時(shí)還多工具有其他的額外特殊功能，包括串行通信、外部中斷控制、計(jì)時(shí)計(jì)數(shù)控制及外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器內(nèi)容的讀取或?qū)懭肟刂频裙δ堋? PSEN：此為 Program Store Enable的縮寫，其意為程序儲(chǔ)存啟用。 XTAL2：系統(tǒng)時(shí)鐘的反相放大器輸出端，一般在設(shè)計(jì)上只要在 XTAL1 和 XTAL2 上接上一只石英振蕩晶體系統(tǒng)就可以動(dòng)作了，此外可以在兩引腳與地之間加入一 20PF 的小電容，可以使系統(tǒng)更穩(wěn)定，避免噪聲干擾而死機(jī)。下面就簡(jiǎn)單介紹最小化電路。使用動(dòng)態(tài)掃描顯示方式對(duì)數(shù)字的顯示?，F(xiàn)代國(guó)際上普遍采用羅馬歷法，在羅馬歷法中人為地規(guī)定一年 365 天，也就是我們所說(shuō)的平年，為了彌補(bǔ)每一年多出的 5 小時(shí) 48 分 46 秒，同 時(shí)又規(guī)定 4 年中有一年是閏年，閏年為 366 天（平年的 2 月份為 28 天，而閏年的 2 月份為 29 天），這樣 4 年有 365*3+366=1461 天，而地球繞太陽(yáng)公轉(zhuǎn) 4 周歷時(shí) 1460 天 23 小時(shí) 15分 4 秒，這樣，每 4 年又產(chǎn)生了 44 分 56 秒的誤差，為了減小影響，歷法上又規(guī)定，每 400 年中只存在 97 個(gè)閏年，這樣 400 年中共有 365*400+97=146097 天，