【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)大綱?課內(nèi)學(xué)時(shí)數(shù):96實(shí)驗(yàn)學(xué)時(shí)數(shù):24適用的專業(yè)范圍及層次:全日制高職高專專科電子類專業(yè)一、說明1、教學(xué)目的和要求《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》是繼《電路》課程后,電氣類、自控類和電子類等專業(yè)學(xué)生在電子技術(shù)方面入門性質(zhì)的技術(shù)基礎(chǔ)課,是電子技術(shù)基礎(chǔ)的一個(gè)部分,其任務(wù)是讓學(xué)生獲得模擬電路的基本知識,為以后深入學(xué)習(xí)電子技術(shù)某些
2025-06-25 22:23
【摘要】....第1章檢測題(共100分,120分鐘)一、填空題:(,共25分)1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的五價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子,少數(shù)載流子為空穴,不能移動的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的三價(jià)元素組
2025-06-23 15:22
【摘要】第1章檢測題()一、填空題:()1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的五價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子.少數(shù)載流子為空穴.不能移動的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的三價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為空穴.少數(shù)載流子為自由電子.不能移動的雜質(zhì)離子帶負(fù)電。2、三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由發(fā)射區(qū)、基區(qū)
2025-08-05 09:36
【摘要】電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分第五版第八章作業(yè)題解答湖呵呵
2024-10-29 07:01
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時(shí),擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3
2024-10-25 19:21
【摘要】模擬電子技術(shù)習(xí)題答案第二章。(1)利用硅二極管恒壓降模型求電路的ID和Vo的值;(2)在室溫(300K)的情況下,利用二極管的小信號模型求vo的變化范圍。解(1)求二極管的電流和電壓(2)求vo的變化范圍,溫度T=300K。當(dāng)rd1=rd2=rd時(shí),則 的變化范圍為,~。,試判斷圖中的二極管是導(dǎo)通還是截止,并
2025-06-24 23:32
【摘要】華成英2022/11/22模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)清華大學(xué)華成英華成英2022/11/22緒論一、電子技術(shù)的發(fā)展二、模擬信號與模擬電路三、電子信息系統(tǒng)的組成四、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)課的特點(diǎn)五、如何學(xué)習(xí)這門課程六、課程的目的七、考查方法華成英2022/11/22一、電
2025-08-15 22:39
【摘要】........目錄第1章電力電子器件 1第2章整流電路 4第3章直流斬波電路 20第4章交流電力控制電路和交交變頻電路 26第5章逆變電路 31第6章PWM控制技術(shù) 35第7章
2025-06-21 23:43
【摘要】1目錄習(xí)題一????????????一、填空題???????????二、判斷題???????????三、選擇題???????????四、問答題???????????五、分析計(jì)算題?????????習(xí)題二????????????一、填空題???????????二、判斷題??????
2024-11-04 05:52
【摘要】1.填空(1)N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入;P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入。(2)當(dāng)溫度升高時(shí),二極管的反向飽和電流會。(3)PN結(jié)的結(jié)電容包括和。(4)晶體管的三個(gè)工作區(qū)分別是
2024-10-29 08:43
【摘要】模擬電子技術(shù)第1章半導(dǎo)體二極管及其基本應(yīng)用1.1填空題1.半導(dǎo)體中有空穴和自由電子兩種載流子參與導(dǎo)電。2.本征半導(dǎo)體中,若摻入微量的五價(jià)元素,則形成N型半導(dǎo)體,其多數(shù)載流子是電子;若摻入微量的三價(jià)元素,則形成P型半導(dǎo)體,其多數(shù)載流子是空穴。3.PN結(jié)在正偏時(shí)導(dǎo)通反偏時(shí)截止,這種特性稱為單向?qū)?/span>
2025-06-23 22:43
【摘要】《電路》第一章參考答案一、判斷題1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、單項(xiàng)選擇1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b)10、(b)11、(c)12、(a)13、(a)14、(b)
2025-06-24 01:03
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第1章常用半導(dǎo)體器件1選擇合適答案填入空內(nèi)。(l)在本征半導(dǎo)體中加入(A)元素可形成N型半導(dǎo)體,加入(C)元素可形成P型半導(dǎo)體。B.四價(jià)C.三價(jià)(2)當(dāng)溫度升高時(shí),二極管的反向飽和電流將(A)。
2025-08-10 21:43
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第1章常用半導(dǎo)體器件。(l)在本征半導(dǎo)體中加入(A)元素可形成N型半導(dǎo)體,加入(C)元素可形成P型半導(dǎo)體。(2)當(dāng)溫度升高時(shí),二極管的反向飽和電流將(A)。(3)工作在放大區(qū)的某三極管,如果當(dāng)IB從12uA增大到22uA時(shí),IC從
2025-08-09 18:47
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第四版清華大學(xué)電子學(xué)教研組編童詩白華成英主編自測題與習(xí)題解答山東大學(xué)物理與微電子學(xué)院目錄第1章常用半導(dǎo)體器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大電路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14第3章多級放大電路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31第4章集成運(yùn)算放大電路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41第5章放