銅包鋼內(nèi)導(dǎo)體射頻同軸電纜-(文件)
【正文】 空間某一點(diǎn)的磁場(chǎng)強(qiáng)度；屏蔽系數(shù)是一個(gè)復(fù)數(shù)值，它的絕對(duì)值在1～0之間。，轉(zhuǎn)移阻抗ZT轉(zhuǎn)移阻抗ZT是衡量屏蔽性能好壞的又一個(gè)指標(biāo)，它又可稱(chēng)為耦合阻抗。但是，由于轉(zhuǎn)移阻抗僅僅包含電阻和電感不含電容，它的測(cè)量方法采用三同軸法，測(cè)試不方便并且測(cè)試頻率只能到300MHz，有一定的局限性。屏蔽衰減BS 是屏蔽系數(shù)S倒數(shù)的對(duì)數(shù)值，它表示為： BS ＝㏑ 1/S ＝20㏒ 1/S dB 屏蔽衰減越大，電纜的屏蔽性能越好。影響屏蔽衰減的因素有：屏蔽的結(jié)構(gòu)形式和所采用的材料；電纜絕緣介質(zhì)直徑和機(jī)械應(yīng)力（如彎曲等），絕緣直徑增大,屏蔽衰減增加；屏蔽衰減和頻率、長(zhǎng)度有關(guān)。二次系統(tǒng)的特性阻抗：Z2＝（60 ㏑ λ0/πd）＋ ohm式中：d——電纜屏蔽層的外徑，單位為：M； λ0——為自由空間的波長(zhǎng)，M 。這種放線的周期性不均勻會(huì)使電纜形成阻抗的周期性不均勻，當(dāng)該周期性不均勻性長(zhǎng)度和某個(gè)頻率的波長(zhǎng)長(zhǎng)度相當(dāng)或一致時(shí)，則會(huì)造成信號(hào)的嚴(yán)重的反射，電纜的駐波比急劇增大，電纜衰減增大，這是不希望出現(xiàn)的情況，應(yīng)該絕對(duì)避免。銅包鋼導(dǎo)體由于比銅導(dǎo)體要硬，如果銅包鋼有彎曲或波紋，擠出內(nèi)模并不能將其調(diào)直，這樣會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)體偏心，影響電纜的阻抗、阻抗均勻性和電纜衰減。在國(guó)內(nèi)的射頻電纜生產(chǎn)中，日本宇部的UBE180低密度聚乙稀，因?yàn)榫哂休^好的擠出加工性能和良好的電氣絕緣性能，從而獲得廣泛應(yīng)用。聚乙稀絕緣擠出后，不能采用驟然冷卻絕緣的方法，這是與聚氯乙?。≒VC）絕緣擠出不同的。對(duì)聚乙稀的擠出采用緩冷，即經(jīng)過(guò)熱水、溫水、冷水三段冷卻，逐步定形。作為電纜成品，采用尺寸穩(wěn)定性試驗(yàn)來(lái)考核柔軟射頻實(shí)芯電纜受熱后，絕緣對(duì)內(nèi)導(dǎo)體沿軸向的位移量，以便得到電纜和連接器配合使用適用性的能力或指標(biāo)。由于絕緣還存在收縮，因此絕緣線芯成軸時(shí)，在適當(dāng)長(zhǎng)度區(qū)段墊上紙板，防止絕緣線芯穩(wěn)定冷卻后的收縮，使線芯造成松亂。斜包（Spiral）屏蔽結(jié)構(gòu)具有較好的柔軟性和彎曲壽命、它便于端接、屏蔽覆蓋率能夠達(dá)到97％。單層編織屏蔽的轉(zhuǎn)移阻抗ZT隨頻率升高而增大，屏蔽效果變差，這是因?yàn)榫幙棇?dǎo)體兩個(gè)相反螺旋路徑產(chǎn)生正切耦合作用，電磁場(chǎng)透過(guò)編織空隙泄漏。多層編織屏蔽可大大改善屏蔽性能，如果各編織層間相互絕緣時(shí)（如三同軸電纜），屏蔽性能將得到進(jìn)一步的改進(jìn)和提高。編織屏蔽可作為計(jì)算機(jī)內(nèi)部電纜、儀表和控制電纜的屏蔽。箔（Foil）屏蔽在射頻范圍比編織屏蔽更有效，比編織屏蔽更易彎曲，但是它的彎曲壽命比編織和斜包要短。因?yàn)閿?shù)字信號(hào)傳輸包含兩個(gè)頻率信號(hào)：低頻傳輸?shù)囊纛l信號(hào)和高頻傳輸?shù)囊曨l信號(hào)，采用組合屏蔽（箔＋編織）結(jié)構(gòu)型式是較為有效的屏蔽設(shè)計(jì)。因此，護(hù)套材料必須根據(jù)電纜的使用環(huán)境、使用條件和用戶(hù)提出的要求選擇。因?yàn)閿D壓式護(hù)套，不僅增加擠出護(hù)套用料（過(guò)大的擠出壓力，使護(hù)套料滲入編織縫隙），如果擠出壓力過(guò)大，使電纜護(hù)套的剝皮困難，不利于加工；護(hù)套采用擠管式，如果擠出壓力過(guò)小，護(hù)套包覆不夠緊密，會(huì)使電纜芯松動(dòng)結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定。HP8753ES矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀可對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行型式考核測(cè)試。 HP8753ES矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀科寶公司購(gòu)進(jìn)的CTS650A1對(duì)稱(chēng)數(shù)字通信電纜測(cè)試系統(tǒng)，主要適用于高性能局域網(wǎng)（LAN）數(shù)字電纜如CATCATCAT7等性能測(cè)試，同時(shí)它提供有同軸（非對(duì)稱(chēng)）測(cè)試端口，通過(guò)平衡－不平衡變換器（BALUN）也可測(cè)試同軸電纜，但是標(biāo)準(zhǔn)的CTS650A1測(cè)試頻率最高到350MHz。CTS650A1對(duì)稱(chēng)數(shù)字通信電纜測(cè)試系統(tǒng)，采用的是頻域掃頻法。有關(guān)各項(xiàng)性能的具體測(cè)試方法，可參見(jiàn)相關(guān)測(cè)試儀器的測(cè)試說(shuō)明書(shū)。掃頻法測(cè)量電纜的阻抗均勻性具有速度快、直觀、簡(jiǎn)單并能獲得一個(gè)頻帶內(nèi)的連續(xù)指示?？蓽y(cè)試的高頻性能有：衰減（損耗）、特性阻抗、輸入阻抗（開(kāi)/短）、匹配阻抗、結(jié)構(gòu)回波損耗、回波損耗、傳輸延遲、傳輸速度、傳輸延遲差、近端串音、遠(yuǎn)端串音、近端串音功率和、遠(yuǎn)端串音功率和串音衰減比、串音衰減比功率和、等電平遠(yuǎn)端串音、等電平遠(yuǎn)端串音功率和等電性能參數(shù)。DCM CMSCOAX測(cè)試系統(tǒng),在30KHz～3GHz內(nèi)可直觀快速測(cè)試并打印以下性能參數(shù):特性阻抗、衰減、傳輸速率、輸入阻抗、轉(zhuǎn)移阻抗、結(jié)構(gòu)回波損耗、反射系數(shù)、阻抗不均勻性、內(nèi)導(dǎo)體電阻、外導(dǎo)體電阻、電容等性能參數(shù)。以往同軸電纜性能參數(shù)測(cè)試方法主要是用諧振法和電橋法,通過(guò)測(cè)電容和諧振頻率等來(lái)測(cè)定電纜的電容,阻抗,衰減等,這種方法和儀器存在誤差大,費(fèi)時(shí)費(fèi)工,不直觀等缺點(diǎn)，目前已較少采用。電纜尺寸過(guò)大，會(huì)使電纜無(wú)法裝入連接器插口；過(guò)小則會(huì)造成插口過(guò)松。組合屏蔽結(jié)構(gòu) 在外導(dǎo)體（屏蔽）加工中，對(duì)復(fù)合箔層縱包搭接寬度，縱包工藝的質(zhì)量，縱包的平整度必須嚴(yán)格要求，保證有良好的搭接寬度，以防止信號(hào)從過(guò)小的搭接縫隙處泄漏；搭接復(fù)合箔層的基帶厚度應(yīng)均勻、平整和有一定厚度，使箔層起到100％屏蔽覆蓋的目的；編織層使屏蔽結(jié)構(gòu)更完整，可充分發(fā)揮組合屏蔽的作用，因此編織屏蔽層要求平整完好，達(dá)到提供優(yōu)良的結(jié)構(gòu)完整性和有較低的直流（DC）電阻和最小的低頻干擾的常處。組合屏蔽，使得箔100％的電纜覆蓋屏蔽和編織屏蔽的較低的直流（DC）電阻和最小的低頻干擾兩者結(jié)合起來(lái)，從而在寬廣的頻譜范圍內(nèi)提供最大的屏蔽效率。箔層屏蔽重量輕、體積小，比編織屏蔽成本低。編織屏蔽結(jié)構(gòu)提供了優(yōu)良的結(jié)構(gòu)完整性，同時(shí)保持好的彎曲性能和彎曲壽命。單層編織屏蔽的屏蔽性能和編織線直徑、編織角等因素有關(guān)。編織（Braid）屏蔽是射頻電纜最常見(jiàn)和最多采用的屏蔽結(jié)構(gòu)型式。4，外導(dǎo)體（屏蔽）射頻同軸電纜的外導(dǎo)體既是導(dǎo)體也是屏蔽層。這種收線的周期性不均勻會(huì)使電纜形成阻抗的周期性不均勻，其后果和影響如同導(dǎo)體放線周期性不均勻的結(jié)果是一樣的，必須避免和出現(xiàn)。直觀鑒定，絕緣內(nèi)應(yīng)力殘留程度，可以采用剪斷擠出絕緣的線芯，看內(nèi)導(dǎo)體伸出絕緣截面的長(zhǎng)度。結(jié)晶性聚乙?。≒E）高聚物，擠出后必須采用緩冷式的逐步冷卻，逐步冷卻可減少聚乙稀絕緣內(nèi)應(yīng)力產(chǎn)生和避免、減少內(nèi)應(yīng)力。實(shí)芯絕緣結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn): 材料消耗多、介電常數(shù)大,電纜衰減較大。2，低密度（高壓）聚乙稀絕緣擠出低密度聚乙烯（LDPE）是實(shí)芯絕緣射頻同軸電纜最常用的絕緣介質(zhì)材料。預(yù)熱的目的是提高導(dǎo)體與絕緣的附著力，避免涼導(dǎo)體與熱塑料之間產(chǎn)生應(yīng)力和絕緣與導(dǎo)體間產(chǎn)生氣隙，導(dǎo)體和絕緣間的氣隙會(huì)降低電纜的電暈電壓和工作電壓。1％DCCS ）、結(jié)構(gòu)尺寸均勻性要好。一般編織屏蔽的柔軟射頻同軸電纜的屏蔽衰減在40～60dB。如上所述，屏蔽系數(shù)S數(shù)值越小，表示屏蔽效果越好。，屏蔽衰減BS屏蔽衰減BS定
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