【正文】 bpsu 10萬次擦除/編程u 125度下數(shù)據(jù)存儲長達(dá)10年資料來源：XXX公司資料 2012，10表52 擬開發(fā)芯片功能性能指標(biāo)項目NAND Flash成本芯片尺寸6mm x 5mm封裝形式WSON8功耗30mA最大頻率104Mhz讀取時間100us編程時間300us塊擦除時間3msCycling次數(shù)100,000次數(shù)據(jù)保持時間10年資料來源：XXX公司資料 2012，10三、項目建設(shè)目標(biāo)為降低項目風(fēng)險，優(yōu)化項目流程，本項目計劃分三期進行投入。本項目需購置一處909平米左右的研發(fā)基地，主要是芯片研發(fā)實驗室。會議室分別為可容納50人的大會議室和可容納10人的小會議室，主要用于接待客戶、日常工作會議以及項目組討論等。（二）建設(shè)地點地址選擇購置項目地點為北京市海淀區(qū)。北京屬于季風(fēng)氣候區(qū)，風(fēng)向的季節(jié)變化明顯。第五章 技術(shù)開發(fā)方案一、實施項目的技術(shù)基礎(chǔ)公司快閃存儲芯片產(chǎn)品處于業(yè)內(nèi)領(lǐng)先，目前產(chǎn)品線覆蓋了1G以下的各類快閃存儲芯片，為客戶提供高性能、高響應(yīng)速度的快閃存儲器產(chǎn)品。高性能、小容量快閃存儲芯片產(chǎn)品的成功實施，證明XXX公司是全球少數(shù)能設(shè)計開發(fā)快閃存儲芯片的公司，也是中國能設(shè)計較小線寬、支持高速率傳輸、快速讀寫擦除，并實規(guī)模生產(chǎn)的快閃存儲芯片設(shè)計公司。布局管理技術(shù)快閃存儲器布局管理直接決定了芯片的成本高低，快閃存儲器容量與其所占的面積成正比關(guān)系，因而有效地設(shè)計芯片中單元的大小、位線以及外圍電路的設(shè)計至關(guān)重要。公司在降低系統(tǒng)功耗方面使用了大量先進技術(shù)，并通過使用先進工藝制程、多功耗模式、低功耗電壓源等技術(shù)來降低功耗和成本。(2) 超高速的數(shù)據(jù)傳輸率本項目開發(fā)的NAND Flash芯片數(shù)據(jù)傳輸速度將達(dá)到400Mbps，最大數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)532Mbps。(5) 擴展性很強的NAND接口本項目開發(fā)的NAND Flash支持標(biāo)準(zhǔn)SPI, Dual SPI, Quad SPI和QPI數(shù)據(jù)接口，并帶有SD或HSMMC接口，擴展性較強。專注于NAND Flash芯片技術(shù)研發(fā)，開發(fā)高可靠性、16GB容量以下的NAND Flash芯片。3芯片定義定義芯片設(shè)計帶寬、頻率等重要性能參數(shù)4系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計對NAND Flash系統(tǒng)架構(gòu)做整體設(shè)計主要包括軟件和硬件設(shè)計框架以及算法。在已經(jīng)創(chuàng)建的驗證環(huán)境中，對RTL設(shè)計進行驗證。10流片芯片設(shè)計硬件化的過程。資料來源：XXX公司資料 2012，10四、項目開發(fā)內(nèi)容通過本項目，開發(fā)2x nm及以上先進制程 NAND Flash產(chǎn)品，設(shè)計開發(fā)功能和性能強大的NAND Flash系列芯片，及NAND Flash綜合應(yīng)用解決方案，服務(wù)小容量快閃存儲器芯片市場需求，同時瞄準(zhǔn)eMMC、SSD等應(yīng)用市場，滿足智能化產(chǎn)品和大容量市場需求。由于MLC是一個存儲單位實現(xiàn)多位數(shù)的存取，因此需要精確控制MLC各個存儲位的閾值，以實現(xiàn)高效率、高穩(wěn)定度的數(shù)據(jù)讀寫和數(shù)據(jù)擦除。如果對存儲單元過編程，則存儲單元保持過高的電壓。而NAND Flash內(nèi)部寫入數(shù)據(jù)、讀取數(shù)據(jù)、擦除數(shù)據(jù)一般需要6V、12V、28V等不同的高電壓。這種方法使得被編程存儲單元處于編程狀態(tài)，而未編程單元處于關(guān)斷狀態(tài)，使得相鄰間的存儲單元相互影響最小，達(dá)到減少MLC編程串?dāng)_的目的。特別地，NAND Flash遵循根據(jù)FowlerNordheim (FN) 理論，工作中隧穿電子通過底部柵氧化層進入多晶硅浮柵電極中，從而實現(xiàn)浮柵單元的讀寫操作。六、項目的設(shè)備選型（一）硬件平臺本項目開發(fā)設(shè)備主要用于開發(fā)測試，具體數(shù)量和配置見下表：表62 項目開發(fā)設(shè)備、數(shù)量、價格及規(guī)格型號（萬元）序號名稱型號單價數(shù)量總價1工作終端主機聯(lián)想 M6900 38 2工作終端顯示器DELL V19寸 38 3服務(wù)器DELL PowerEdge R710 5 4存儲MD1000 3 5打印機HP M1522 1 6路由器H3C 1 7防火墻Juniper 1 8示波器Agilent MSO9254B 1 9邏輯分析儀Agilent 16803A邏輯分析儀 2 10測試機臺冠中科技 測試機臺 3 11機械手景炎科技 JICAT/603 1 12探針臺UF3000 1 合計 資料來源：XXX公司資料 2012，10（二）軟件平臺本項目軟件主要用于芯片開發(fā)，具體數(shù)量和規(guī)格見下表：表63 項目軟件名稱、數(shù)量、價格及規(guī)格型號（萬元）序號名稱型號單價數(shù)量總價1WindowsXP操作系統(tǒng)Windows XP ProfessionalChnSimp CDw/SP338 2辦公軟件Office 2007Enterprise ChnSimp38 3服務(wù)器OSWindows Server 2003 標(biāo)準(zhǔn)版（3用戶）3 4殺毒軟件瑞星11 5EDACandence11 Synopsis TCADARM Compiler ARM Development Studio 5 合計 資料來源：XXX公司資料 2012，10第六章 總體布局、公用輔助工程與環(huán)保一、總體布局為了保證系統(tǒng)的正確性、可靠性及系統(tǒng)穩(wěn)定性，新建辦公場所的溫、濕度等環(huán)境條件將根據(jù)各試驗室的需要進行設(shè)計，為研發(fā)提供一個良好的工作環(huán)境和條件，因此本項目擬建設(shè)909平米的辦公場所，包括辦公區(qū)、會議室、實驗室作為項目開發(fā)生產(chǎn)基地，以滿足研發(fā)生產(chǎn)工作的順利開展。（二）給排水給水項目所需水源為北京市海淀區(qū)提供的自來水。三、環(huán)境保護（一）項目建設(shè)和研發(fā)對環(huán)境的影響評價本項目產(chǎn)品的研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化和市場推廣，產(chǎn)業(yè)形態(tài)不同于傳統(tǒng)制造業(yè)，主要通過知識創(chuàng)新和智力勞動，獲得價值和利潤。公司設(shè)有專職人員從事環(huán)境保護與監(jiān)測工作。提供應(yīng)有的培訓(xùn)、設(shè)備和資源，建立安全、健康和高效的工作環(huán)境。2) 本項目2x nm NAND Flash芯片研發(fā)進度如下：3) 項目啟動后，T+1月T+22月，完成2x nm NAND Flash芯片規(guī)格、前端邏輯設(shè)計、的過程，基本完成NAND Flash的研發(fā)，進入批量生產(chǎn)階段。7) T+34月T+36月，進行2x nm NAND Flash量產(chǎn)。第八章 項目實施管理、勞動定員及人員培訓(xùn)一、項目實施管理公司采用嚴(yán)格的質(zhì)量管理規(guī)范進行開發(fā)過程管理、產(chǎn)品測試、質(zhì)量管理。公司對產(chǎn)品形成的主要過程施行嚴(yán)格的質(zhì)量控制：（1）IC設(shè)計環(huán)節(jié)。（3）封裝測試。（5）QC檢測。設(shè)備包括開發(fā)PC機、工作站和EDA開發(fā)工具、版本管理軟件、高速示波器、頻譜分析儀、測試基臺、機械手、探針臺等軟硬件設(shè)備。新員工必須接受兩個星期的上崗培訓(xùn)，軟件開發(fā)人員每年安排200個學(xué)時的業(yè)務(wù)培訓(xùn)。表101 項目投資估算表（單位：萬元）項目類別項目名稱費用測算（萬元）工程費用 合計 工程建設(shè)及其他費用 培訓(xùn)費 合計 預(yù)備費 合計 鋪底流動資金鋪底流動資金 合計 總計 資料來源：XXX公司資料2012，10（二）年度資金預(yù)算本項目建設(shè)期3年，根據(jù)項目建設(shè)的性質(zhì)和實際研發(fā)的需要，新增設(shè)備、軟件投資主要在項目建設(shè)期第一、二年投入使用，設(shè)備、工程建設(shè)其他費用中的開發(fā)費用依據(jù)研發(fā)進度建設(shè)期內(nèi)分三年投入使用。北京市相關(guān)區(qū)域辦公用寫字樓購置價格約為30000元/年平米。辦公家具購置費本項目辦公場地家具包括辦公桌、辦公椅、辦公用文件柜等辦公家具的購置。試制費用投資明細(xì)見下表：表104 試制費用投資明細(xì)表（單位：萬元）序號名稱型號單價數(shù)量總價1SPI Nand Flash projectMask 光罩6 2HTOL老化板12 3HTOL老化測試 4Probe Card6 5測試Socket50 6可靠性試機時費 7piolt wafer 8封裝費用 合計　　　　 數(shù)據(jù)來源：賽迪顧問整理2012，10開發(fā)人員費用投入研發(fā)人員費用投入明細(xì)見下表：表105 開發(fā)人員費用投資明細(xì)表（單位：萬元）年份人員資質(zhì)公司承擔(dān)的社保公積金費用平均工資數(shù)量合計第一年架構(gòu)師及Team Leader 4 高級開發(fā)人員 4 中級開發(fā)人員 8 初級開發(fā)人員 11 全年全員薪資合計　　　第二年架構(gòu)師及Team Leader 4 高級開發(fā)人員 4 中級開發(fā)人員 9 初級開發(fā)人員 13 全年全員薪資合計　　　第三年架構(gòu)師及Team Leader 4 高級開發(fā)人員 4 中級開發(fā)人員 10 初級開發(fā)人員 15 。由于使用公司已有的IP，故本項目沒有知識產(chǎn)權(quán)授權(quán)使用費投資。從設(shè)備投資的經(jīng)濟性和提升設(shè)備利用效率兩個角度考慮，本項目開發(fā)設(shè)備主要用于開發(fā)測試。（三）分項投資構(gòu)成場地購置費本項目地址擬選擇在北京市海淀區(qū)，計劃通過購置的方式取得。表92 人力資源培訓(xùn)表培訓(xùn)內(nèi)容和主題參加人員項目管理培訓(xùn)產(chǎn)品經(jīng)理、項目經(jīng)理SOC設(shè)計培訓(xùn)SOC系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計人員、SOC前端開發(fā)人員、SOC后端開發(fā)人員質(zhì)量管理培訓(xùn)質(zhì)量管理人員版本管理工具的使用（SVN）配置管理人員編碼規(guī)范設(shè)計、編碼人員測試規(guī)范和BUG FREE工具的使用測試人員數(shù)據(jù)來源：賽迪顧問整理2012，10第九章 投資估算與資金籌措一、投資估算（一）投資估算構(gòu)成，；，包括：，；，包括基本預(yù)備費和漲價預(yù)備費；。設(shè)備主要包括信號源、頻譜分析儀、開發(fā)PC機、EDA開發(fā)工具等。圖91 公司質(zhì)量管理基本流程資料來源：XXX公司資料 2012，10二、人力資源配置本項目研發(fā)基地包括芯片研發(fā)實驗室和硬件研發(fā)實驗室，在第一年、第二年陸續(xù)內(nèi)達(dá)到計劃確定的用人指標(biāo)。（4）成品測試。（2）晶圓制造、晶圓測試環(huán)節(jié)。同時，產(chǎn)品研發(fā)系統(tǒng)將不斷發(fā)現(xiàn)的客戶需求和市場機會回饋到IC 研發(fā)系統(tǒng)，促進基礎(chǔ)IC 設(shè)計技術(shù)的提升和發(fā)展，進而形成良性的創(chuàng)新循環(huán)機制。為此，公司在芯片研發(fā)前均進行詳細(xì)的市場調(diào)研，結(jié)合自己的技術(shù)特色進行產(chǎn)品定位，以市場需求定產(chǎn)品規(guī)格，以產(chǎn)品規(guī)格定研發(fā)計劃，實行市場導(dǎo)向研發(fā)模式。5) T+28月T+29月，完成2x nm NAND Flash的流片、小批量試產(chǎn)。公司NAND Flash產(chǎn)品處于業(yè)內(nèi)領(lǐng)先，目前產(chǎn)品線較全面，具有雄厚的技術(shù)基礎(chǔ)。在樓房四周進行綠化，沿路種植樹木、草坪，起到美化環(huán)境和防塵作用。（二）環(huán)境保護措施廢水：企業(yè)不產(chǎn)生生產(chǎn)廢水，基本上都是生活用水。排水本項目主要排水為生活污水，經(jīng)處理后排入北京市海淀區(qū)的污水管網(wǎng)。項目所需配套的供電、通信以及給排水等，均可利用園區(qū)內(nèi)的供電局、郵電局和自來水公司的公共設(shè)施接入滿足生產(chǎn)和生活需求。此外，為了確?？刂茤藕透胖g的充分耦合，需要多晶硅間絕緣介質(zhì)沿著字線方向包圍、環(huán)繞著浮柵。本技術(shù)的ECC校驗?zāi)K以及該模塊讀寫數(shù)據(jù)的技術(shù)，可以解決現(xiàn)有的ECC校驗?zāi)K靈活性低的技術(shù)缺陷。同時，該超高壓產(chǎn)生電路還精確產(chǎn)生所需要的不同高電壓，有效實現(xiàn)NAND Flash的數(shù)據(jù)寫入、讀取和擦除。過編程的存在可能使得閾值電壓超過6V，使得被選中單元仍然處于斷開整體，那么將不能有效讀取數(shù)據(jù)?？梢哉f，高精度的閾值控制技術(shù)是提升NAND Flash存儲容量的關(guān)鍵技術(shù)，也是增加NAND Flash可靠性、增加擦寫次數(shù)的關(guān)鍵技術(shù)。本項目的成功實施，將實現(xiàn)國內(nèi)閃存芯片設(shè)計企業(yè)在NAND Flash領(lǐng)域的突破，達(dá)到國際領(lǐng)先水準(zhǔn)。11量產(chǎn)芯片大規(guī)模生產(chǎn)形成真正產(chǎn)品的過程，在此期間公司主要關(guān)注芯片良率等生產(chǎn)問題。后端仿真驗證主要是監(jiān)測電路邏輯的正確性。文檔中需要詳細(xì)描述時鐘/復(fù)位等重要單元的實現(xiàn)策略，評估帶寬/頻率等重要參數(shù)，為IC設(shè)計打好基礎(chǔ)。2產(chǎn)品需求分析由市場部門提供，根據(jù)市場需求分析中預(yù)測的趨勢，進一步詳細(xì)闡述即將研發(fā)產(chǎn)品的特性。三、項目技術(shù)路線（一）遵循標(biāo)準(zhǔn)NAND Flash研發(fā)遵循固態(tài)技術(shù)協(xié)會對晶體管方面的標(biāo)準(zhǔn)，目前NAND Flash開發(fā)方面遵循的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，分別為：JESD216標(biāo)準(zhǔn)：串行flash可識別參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)JESD22A108標(biāo)準(zhǔn)：關(guān)于HTOL的標(biāo)準(zhǔn)JESD220A117標(biāo)準(zhǔn)：關(guān)于可靠性的標(biāo)準(zhǔn)JESD22A103amp。本項目設(shè)計技術(shù)上的領(lǐng)先帶來成本上的領(lǐng)先，采用精確控制閾值的MLC技術(shù)，芯片成本比同時期競爭對手的成本更低，這給產(chǎn)品競爭力帶來巨大的優(yōu)勢。公司在快閃存儲器芯片的擦寫方面積累了豐富的技術(shù)，尤其在大容量的芯片擦除方面，大容量擦除過程中存在無法一次性擦除、