基于雙ram技術的led顯示屏控制系統(tǒng)設計(文件)
【正文】 出到顯示屏的位數(shù)據，這就需要在兩塊RAM同時輸出的2位中選擇需要的位作為輸出數(shù)據，并且這位數(shù)據是連續(xù)的位數(shù)據。顯示區(qū)域的起始行坐標為，一塊顯示區(qū)域有行，則所在的塊為：這里討論在實際顯示區(qū)域的坐標沒有多大意義，只須注意在當前顯示塊的相對坐標，就是在當前顯示塊的相對縱坐標，則相對坐標為（,）。存儲器輸出16位數(shù)據 后，從位控制選擇連續(xù)的8位數(shù)據輸出到顯示屏。另外有一種情況，當顯示信息剛好是A、B、C、D塊中的某一塊時，無須產生模擬脈沖對數(shù)據進行選擇，而是直接將數(shù)據輸出顯示。VRS51L3074單片機的時鐘頻率為40MHz，指令周期短，處理速度快，效率可以與ARM處理器媲美，但是ARM處理器的價格要高得多。狀態(tài)寄存器SPISTATUS：主要用于對SPI運行狀態(tài)的監(jiān)控。SPI接口的發(fā)送和接收緩沖器都采用雙緩沖結構，從硬件上減少數(shù)據沖突并提高數(shù)據傳輸效率。并且可以用單片機模擬串行FLASH時鐘信號控制任意位數(shù)據輸出?？刂菩盘柡惋@示數(shù)據在輸出到寄存器74LS164和顯示屏的時候，需要用74LVC07進行電平轉換。使輸出數(shù)據產生錯位，正確的選擇輸出顯示數(shù)據。 重復第至步，直到一行數(shù)據全部輸出完畢后， 產生一個RCK脈沖，讀取的一行數(shù)據將輸出顯示，然后掃描線下移一行。當顯示信息比較大時，動態(tài)數(shù)據組織使用的存儲器比較大，利用率低，而采用雙RAM技術正好解決這個問題。 unsigned char line, unit_board_num, board_i。 /所在區(qū)的相對塊的相對地址 i=YL/Sw。 //向串行FLASH發(fā)讀命令，0x03為讀控制字 SPI_write_read(((ram_point amp。 SPI_write_read (ram_point amp。pi。 for(line=0。board_iunit_board_num。 //啟動數(shù)據傳輸出 while((SPISTATUS amp。 //送入單元板 } } EN=1； //換行時暫關閉 P2=（（P2amp。 SPI_write_read(((ram_point amp。 SPI_write_read (ram_point amp。if(i=7)for(p=0。 }SCK=0。SPDR= Wr_Rd_Data。SPSR=SPSRamp。雙RAM技術大大提高了垂直移動時的存儲器使用效率，所有的數(shù)據塊都是按靜態(tài)顯示方式組織數(shù)據，所以每一塊RAM的顯示數(shù)據效率都是100%，雙RAM的效率為50%，本文顯示數(shù)據存放在一塊FLASH中，效率也為50%，相比動態(tài)顯示組織方式，降低了垂直移動時顯示數(shù)據存儲器的占用，提高存儲效率。// [5] Ramtron VRS51L3074[EB/OL].:[6] [M].清華大學出版社，2008.[7] 靳桅,鄔芝權,[J].現(xiàn)代電子技術，2007.7。本系統(tǒng)仍有改進的空間，譬如以雙RAM組織顯示數(shù)據后直接用兩個RAM來存放不同的數(shù)據，控制顯示數(shù)據直接輸出，提高輸出速率。 //清SPI發(fā)送或接收完成標志return SPDR。0x80。 RCK=0； //產生74HC595輸出鎖存信號EN=0。p++) //產生錯位的模擬脈沖 { SCK=0。region_recod=0。 SPI_write_read(((ram_point amp。if(re
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