《高頻電路cla》ppt課件(文件)
【正文】 c e sM c e s c einpustinpu tu U u UuUuuU U t UU U t Uuu??? ? ????????? ? ???對(duì)諧振電路部分，諧振電路為線性電路，符合疊加原理，故而有： 到目前為止 UM多大對(duì)我們來(lái)說(shuō)是未知的，如何求這個(gè) UM呢？ 在中點(diǎn) A，該點(diǎn)的平均電壓應(yīng)該為電源電壓 EC，因此從圖 333(f)中可以得到， /2/21[ ( ) c os ]12[ 2( ) ] ( )()2c M c e s c e sM c e s c e s m c e s c e sM c c e s c e sE U U t U d tU U U U U UU E U U??????????? ? ?? ? ? ? ? ?? ? ??， 因 此 ：2( ) ( )c m M c e s c c e sU U U E U?? ? ? ?則：回路兩端的電壓幅度為： (333) 集電極回路兩端的高頻電壓有效值為 (334) cmc e f f c c e sπ ()22UU E u? ? ?考察直流分量，而直流時(shí)扼流電感呈現(xiàn)短路狀態(tài) V1(V2)的集電極電流為振幅等于 Ic0的矩形，它的基頻分量振幅等于 (2/π)Ic0。引起實(shí)際效率下降的主要原因有兩個(gè) : 另一個(gè)是激勵(lì)電壓大小總是有限的，且由于晶體管的電容效應(yīng)，由截止變飽和，或者由飽和變截止，電壓 uce1和 uce2實(shí)際上有 上升邊和下降邊 ，在此 過(guò)渡期間 已有集電極電流流通，有功率損耗。 一個(gè)是晶體管導(dǎo)通時(shí)的飽和壓降 uces不為零，導(dǎo)通時(shí)有損耗。負(fù)載電阻 RL與 L0、 C0構(gòu)成一高 Q串聯(lián)諧振回路，這個(gè)回路對(duì)激勵(lì)信號(hào)頻率調(diào)諧。這樣在 RL上仍然可以得到信號(hào)頻率的正弦波電壓 , 實(shí)現(xiàn)了高頻放大的目的。 )，所以 兩管的 直流電壓 和負(fù)載電流分別為 兩管的直流輸入功率為 c m a xc0 π1 iI ?c m a xc0c00 π1 iEIEP ??c m a xL iI ?兩個(gè)半波合成一個(gè)整波 應(yīng)該改為：流過(guò)直流電源的直流電流 （只有半周期有電流） 負(fù)載上的基波電壓 UL等于 uce2方波脈沖 中的基波電壓分量 。但在工作頻率很高時(shí)，隨著工作頻率的升高， 開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換瞬間的功耗增大，集電極效率下降 ，高效功放的優(yōu)點(diǎn)就不明顯了。同時(shí)，還設(shè)法降低晶體管導(dǎo)通期間的集電極損耗。 功率合成器 目前，由于技術(shù)上的限制和考慮， 單個(gè)高頻晶體管的輸出功率一般只限于幾十瓦至幾百瓦 。圖上除了信號(hào)源和負(fù)載外，還采用了兩種基 本器件 : 一種是用三角形代表的晶體管功率放大器 (有源器件 )，另 一種是用菱形代表的功率分配和合并電路 (無(wú)源器件 )。功率合成器有 同相功率合成 和 反相功率合成兩種 . 圖 337 是 反相功率合成器的原理線路 。其中T2 和 T7 作為輸入端和輸出端的分配器和合并器 。由圖可以看出，每個(gè)晶體管的最佳負(fù)載阻抗約為。 T5 和 T6作為阻抗變換器 。它工作于 ～ 18 MHz，輸出功率 100 W。根據(jù)同樣原理， 也可擴(kuò)展至 8 個(gè)、 16個(gè)，甚至更多的晶體管。 所謂 功率合成器 ，就是采用 多個(gè)高頻晶體管，使它們產(chǎn)生 的高頻功率在一個(gè)公共負(fù)載上相加 。 各種高效功放的原理與設(shè)計(jì)為進(jìn)一步提高高頻功率放大器的集電極效率提高提供了方法和思路。 c m a xcLLL π2iEIUR ???那用在哪兒？ F類(lèi)、 G類(lèi)和 H類(lèi)放大器是另一類(lèi)高效功率放大器 。 對(duì)輸入電壓濾波之后的基波電壓信號(hào)就
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