《模擬電子技術(shù)》ppt課件(文件)
【正文】 第 1 章 半導(dǎo)體二極管 。 IR PN 結(jié)的單向?qū)щ娦裕赫珜?dǎo)通，呈小電阻，電流較大 。 3. 擴(kuò)散和漂移達(dá)到 動(dòng)態(tài)平衡 擴(kuò)散電流 等于漂移電流， 總電流 I = 0。 漂 移： 自由電子和空穴在電場(chǎng)作用下的定向運(yùn)動(dòng)。如硅、鍺單晶體。 本征半導(dǎo)體 — 純凈的半導(dǎo)體。 +4 +4 +4 +4 硅 (鍺 )的原子結(jié)構(gòu) Si 2 8 4 Ge 2 8 18 4 簡(jiǎn)化 模型 +4 慣性核 硅 (鍺 )的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu) 價(jià)電子 自 由 電 子 (束縛電子 ) 空 穴 空穴 空穴可在共 價(jià)鍵內(nèi)移動(dòng) 第 1 章 半導(dǎo)體二極管 本征激發(fā)： 復(fù) 合： 自
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1