【正文】 個(gè)機(jī)器周期（ 24 個(gè)時(shí)鐘周期）有效，在這種情況下，內(nèi)部禁止 CPU 訪問(wèn)片內(nèi) RAM，而允許訪問(wèn)其它端口。 程序存儲(chǔ)器的加密 AT89C51 可使用對(duì)芯片上的 3 個(gè)加密位進(jìn)行編程（ P）或不編程（ U）來(lái)得到如下表所示的功能： 加密位保護(hù)功能表 程序加密位 保護(hù)類型 LB1 LB2 LB3 1 U U U 沒(méi)有程序保護(hù) 功能 2 P U U 禁止從外部程序存儲(chǔ)器中執(zhí)行 MOVC 指令讀取內(nèi)部程序存儲(chǔ)器的內(nèi)容 3 P P U 除上表功能外，還禁止程序校驗(yàn) 4 P P P 除以上功能外，同時(shí)禁止外部執(zhí)行 當(dāng)加密位 LB1 被編程時(shí)，在復(fù)位期間， EA 端的邏輯電平被采樣并鎖存，如果單片機(jī)上電后一直沒(méi)有復(fù)位，則鎖存起的初始值是一個(gè)隨機(jī)數(shù)，且這個(gè)隨機(jī)數(shù)會(huì)一直保持到真正復(fù)位為止。編程接口可接收高電平（ +12V）或低電平（ VCC）的允許編程信號(hào)，低電平編程模式適合于用戶再線編程系統(tǒng)，而高電平編程模式可與通用 EPROM 編程器兼容。 2． 在數(shù)據(jù)線上加上要寫(xiě)入的 數(shù)據(jù)字節(jié)。每個(gè)字節(jié)寫(xiě)入周期是自身定時(shí)地，通常約為 。編程完成后， 變?yōu)楦唠娖奖硎緶?zhǔn)備就緒狀態(tài)。 芯片擦除 整個(gè) PEROM 陣列和三個(gè)鎖定位的電擦除可通過(guò)正確的控制信號(hào)組合，并保持 ALE管腳處于低電平 10ms 來(lái)完成。但 RAM，定 時(shí)器，計(jì)數(shù)器，串口和中斷系統(tǒng)仍在工作。讀簽名字節(jié)的過(guò)程和單元 030H、 031H 和 032H 的正常校驗(yàn)相仿，只需將 和 保持低電平，返回值意義如下： （ 030H） =1EH 聲明產(chǎn)品由 ATMEL 公司制造。 單片機(jī)控制的三相全控橋觸發(fā)系統(tǒng)設(shè)計(jì) 22 編程接口 采用控制信號(hào)的正確組合可對(duì) FLASH 閃速存儲(chǔ)陣列中的每一代碼字節(jié)進(jìn)行寫(xiě)入和存儲(chǔ)器的整片擦除，寫(xiě)操作周期是自身定時(shí)的，初始化后它將自動(dòng)定時(shí)到操作完成。 片內(nèi)為 128 個(gè)字節(jié)，字節(jié)地址為 00H～ 7FH。有 16 位地址線，可外擴(kuò)的程序存儲(chǔ)器空間最大為 64KB，地址范圍為 0000H～FFFFH。每一個(gè)中斷源可以編程為高優(yōu)先權(quán)級(jí)別或低優(yōu)先權(quán)級(jí)別中斷，允許或禁止向 CPU 請(qǐng)求中斷?？梢栽O(shè)置為固定波特率和可變波特率，給使用者帶來(lái)很大的靈活性。這種方式不適用于兩個(gè) 8051 之間的串行通信，但可以通過(guò)外接移位寄存器來(lái)實(shí)現(xiàn)單片機(jī)的 I/O 接口擴(kuò)展。數(shù)據(jù)傳輸波特率由 T1 的溢出率決定，可用程序設(shè)定。即上一幀數(shù)據(jù)接收完成時(shí)， RI=1 發(fā)出的中斷請(qǐng)求已被響應(yīng)， SBUF 中數(shù)據(jù)已被取走 。 2 和 3 — 11 位 UART 方式 2 和方式 3 以 11 位為 1 幀傳輸，設(shè)有 1 個(gè)起始位 (0)， 8 個(gè)數(shù)據(jù)位， 1 個(gè)附加第 9位和 1 個(gè)停止位 (1)。 方式 3 的波特率則由 T1 的溢出率決定，可用程序設(shè)定。 方式 方式 3 發(fā)送和接收時(shí)序 發(fā)送過(guò)程 : 發(fā)送前，先根據(jù)通信協(xié)議由軟件設(shè)置 TB8（如作奇偶校驗(yàn)位或地址 /數(shù)據(jù)標(biāo)志位），然后將要發(fā)送的數(shù)據(jù)寫(xiě)入 SBUF，即可啟動(dòng)發(fā)送過(guò)程。當(dāng)檢測(cè)到 RXD()端有 1→ 0 的跳變（起始位）時(shí)，開(kāi)始接收 9 位數(shù)據(jù)，送入移位寄存器（ 9 位）。由上可見(jiàn)， AT89C51 單片機(jī)的硬件結(jié)構(gòu)具有功能部件 種類全，功能強(qiáng)等特點(diǎn)。 單片機(jī)控制的三相全控橋觸發(fā)系統(tǒng)設(shè)計(jì) 27 AT89C51 單片機(jī)中 21 個(gè)特殊功能寄存器 如表所示： MCS－ 51 單片機(jī)的特殊功能寄存器 符號(hào) 地址 功能介紹 B F0H B 寄存器 ACC E0H 累加器 PSW D0H 程序狀態(tài)字 IP B8H 中斷優(yōu)先級(jí)控制寄存器 P3 B0H P3 口鎖存器 IE A8H 中斷允許控制寄存器 P2 A0H P2 口鎖存器 SBUF 99H 串行口鎖存器 SCON 98H 串行口控制寄存器 P1 90H P1 口鎖存器 TH1 8DH 定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器 1（高 8 位） TH0 8CH 定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器 0（高 8 位） TL1 8BH 定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器 1（低 8 位） TL0 8AH 定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器 0（低 8 位） TMOD 89H T0、 T1 定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器方式控制寄存器 TCON 88H T0、 T1 定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器控制寄存器 DPH 83H 數(shù)據(jù)地址指針（高 8 位） DPL 82H 數(shù)據(jù)地址指針（低 8 位） SP 81H 堆棧指針 P0 80H P0 口鎖存器 PCON 87H 電源控制寄存器 單片機(jī)控制的三相全控橋觸發(fā)系統(tǒng)設(shè)計(jì) 28 第五章 控制系統(tǒng)原理 5． 1 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖 圖 51 AT89C51 單片機(jī)控制的三相全控橋觸發(fā)系統(tǒng)設(shè)計(jì) 29 5． 2 觸發(fā)器硬件組成 圖 52 5． 3 移相觸發(fā)脈沖的控制原理 相位控制要求以變流電路的自然換相點(diǎn)為基準(zhǔn)，經(jīng)過(guò)一定的相位延遲后，再輸出觸發(fā)信號(hào)使晶閘管導(dǎo)通。因?yàn)槿嗤耆珜?duì)稱，各相彼此相差 120176。 圖 53 為三相橋式全控整流電路 因?yàn)橹挥靡粋€(gè)同步輸入信號(hào)，所有晶閘管的觸發(fā)脈沖延遲都以其為基準(zhǔn)。由于三相橋式全控整流電路的觸發(fā)電路，必須每隔 60176。當(dāng)以 A 相同步電壓信號(hào)為基準(zhǔn)，單片機(jī)檢測(cè)到 A 相同步電壓信號(hào)正跳變時(shí)，啟動(dòng)定時(shí)器工作，當(dāng)定時(shí)器溢出時(shí)， 輸出第一個(gè)觸發(fā)脈沖信號(hào)，以后由所計(jì)算出的周期確定每隔 60176。第一個(gè)觸發(fā)脈沖相對(duì)于同步信號(hào)正跳變的時(shí)間，可根據(jù)三相橋式全控整流電路的觸發(fā)時(shí)序來(lái)調(diào)整，如圖 3 所示。 單片機(jī)控制的三相全控橋觸發(fā)系統(tǒng)設(shè)計(jì) 32 (1) 額定電壓的選擇可控硅型號(hào)上的額定電壓，一般是將正向轉(zhuǎn)折電壓與反向擊穿電壓所對(duì)應(yīng)的正弦半波電壓的最大值各減去 100V，并取整數(shù)值作為斷態(tài)復(fù)重峰值電壓UDRM 與反向重復(fù)峰值電壓 URRM，而把 UDRM 與 URRM，中較小的數(shù)值作為該元件的額定電壓。例如，當(dāng)可控硅兩端承受 220V 的交流電壓時(shí)，其峰值電壓為 2 220=311(V)，則必須選擇額定電壓大于 2311=622(v)的可控硅。當(dāng)可控硅的導(dǎo)通角小于 180176。觸發(fā)電壓也不能太高，高了又會(huì)使觸發(fā)困難。這種紋波往往是有害的，需要由平波電抗器加以抑制。這就是說(shuō)，當(dāng) 100A 的晶閘管過(guò)電流為 400A 時(shí)，僅允許持續(xù) ，否則將因過(guò)熱而損壞?？焖偃蹟嗥饔玫氖倾y質(zhì)熔絲，在同樣的過(guò)電流倍數(shù)下，它可以在晶閘管損壞之前熔斷，這是晶閘管過(guò)電流保護(hù)的主要措施。第三種接法是快速熔斷器接在輸入端，這樣可以同時(shí)對(duì)輸出端短路或者元件短路實(shí)現(xiàn)保護(hù)，但是熔斷器熔斷之后，不能立即判斷是什么故障。 （ 3）過(guò)流截止保護(hù) 利用過(guò)電流的信號(hào)將晶閘管的觸發(fā)脈沖移后，使晶閘管的導(dǎo)通角減小或者停止觸發(fā) 2 過(guò)電壓保護(hù) 晶閘管耐受過(guò)電壓的的能力極差，當(dāng)電路中電壓超多其反相擊穿電壓時(shí)，即使時(shí)間極短，也容易損壞。在切斷或接通電路時(shí)，從一個(gè)元件導(dǎo)通轉(zhuǎn)換到另一個(gè)元件導(dǎo)通時(shí)，以及熔斷器熔斷時(shí)，電路中的電壓往往都會(huì)超多正常值。這是過(guò)電壓保護(hù)的基本方法。 電流上升率 ti dd ，導(dǎo)通時(shí)電流上升率過(guò)大則可能引起門極附近過(guò)熱造成晶閘管損壞限制ti dd ，除在阻容保護(hù)中選擇合適的電阻外，也可采用與限制 tu dd 相同的措施，其中電感可采用空心電抗器，其中 HL ?30? 。很好的克服了傳統(tǒng)的模擬晶閘管觸發(fā)電路的很多缺點(diǎn)。 在畢業(yè)設(shè)計(jì)的過(guò)程中碰到了許多不能解決的問(wèn)題、我們及時(shí)上網(wǎng)找找相關(guān)資料、與老師及時(shí)溝通把問(wèn)題解決、把理論只是結(jié)合在實(shí)踐中、得以解決。t charge you more than 35% of your pensation if you win the case. If you are thinking about signing up for a damagesbase。t agree with the disciplinary action your employer has taken against you ? your employer dismisses you and you think that you have been dismissed unfairly. For more information about dismissal and unfair dismissal, see Dismissal. You can make a claim to an employment tribunal, even if you haven39。 鑒于時(shí)間和各方面的因素本此課題還不完善，還有許多的不足和缺陷，本身電力電子的三相控制觸發(fā)在國(guó)內(nèi)的研發(fā)起點(diǎn)晚，還不成熟。 七、 設(shè)計(jì)分析總結(jié) 本課題設(shè)計(jì)是基于 MCS— 51 系列單片機(jī) AT89C51 芯片為主的 數(shù)字觸發(fā)電路，并保證在一個(gè)周期內(nèi)準(zhǔn)時(shí)發(fā)出六個(gè)脈沖分別觸發(fā)六個(gè)晶閘管，比原來(lái)用模擬電路控制觸發(fā)簡(jiǎn)單，穩(wěn)定，抗干擾強(qiáng)。 單片機(jī)控制的三相全控橋觸發(fā)系統(tǒng)設(shè)計(jì) 34 AIKIAAKIKIddn 1221 ???? ??????? 6． 2 具體器件的計(jì)算與選擇 （ 1）整流變壓器的計(jì)算 ① 二次側(cè)相電壓： ? ?BAUdU ?~12 ? 查表知，三相全控橋時(shí) ?? UUA d （ 取 ?? 為電網(wǎng)波動(dòng)系數(shù)） dvd UUB? 查表知 COSB? , 角考慮 010 裕量 故 ?B 所以 ? ? VU 127~ ~12 ???? 取 VU 1202 ? ，所以 變比 2 03 8 021 ??? UUK ② 一次、二次側(cè)電流的計(jì)算 查表知 ， ③ 變壓器容量的計(jì)算 一次 側(cè)，二次側(cè)繞組的相數(shù) 31?m ， 32?m 所以 VAIUmS 114001038031111 ????? VAIUmS 1 0 8 7 2 032222 ????? ? ? ? ? VASSS 1 1 1 3 621 0 8 7 21 1 4 0 0221 ????? 又因?yàn)? 勵(lì)磁功率 WP ??? 所以 取 KVAS ? ， KVAS ? ， KVAS ? ， AI ? ， AI ? （ 2）晶閘管元件的選擇 ① 晶閘管額定電壓 ? ? ? ? VUU TmTN 882~58812063~23~2 ???? 取 VUTN 800? ② 晶閘管的額定電流 查表知 ?K ? ? ? ? ? ? AKII dVAT ~~~ ????? 取 ? ? AI VAT 50? 故選 Kp507 晶閘管元件 ??nK單片機(jī)控制的三相全控橋觸發(fā)系統(tǒng)設(shè)計(jì) 35 ③ 晶閘管兩端的過(guò)電壓保護(hù) 晶閘管： ??? 40, 22 RuFC 電容耐壓 VVUVm 2 ???????? 選 C2JD2 型金屬化介電容器，電容量 ，耐壓 V400 電阻功率： WfcuP mR 622 ??? ? 取 ??432R ， W1 金屬膜電阻 ④過(guò)電流保護(hù) 快速熔斷器的選擇 接有電抗器的三相全控橋電路，通過(guò)晶閘管電流有效 AAII dT 213373 ??? 故選用 RLS50 的熔斷器，熔斷電流為 A50 ⑤ 電壓和電流上升率的限制 電壓上升率 tudd ，正向電壓上升率較大時(shí)，使晶閘管誤導(dǎo)通。 晶閘管過(guò)電壓的保護(hù)措施通常采用阻容保護(hù)。因此必須采取措施消除晶閘管上可能出現(xiàn)的過(guò)電壓。 （ 2）過(guò)電路繼電器 在輸出端（直流側(cè)）裝直流過(guò)電流繼電器，或是輸入端（交流側(cè)）經(jīng)電流互感器接入靈敏的過(guò)電流繼電器，都可在發(fā)生過(guò)電流故障時(shí)動(dòng)作，使輸入端的開(kāi)關(guān)跳閘。其二是快速熔斷器與原件串聯(lián)可以對(duì)元件本身的故障進(jìn)行保護(hù)。 晶閘管的過(guò)載時(shí)間和過(guò)載倍數(shù)的關(guān)系 過(guò)載時(shí)間 5s 5min 過(guò)載倍數(shù) 4 2 單片機(jī)控制的三相全控橋觸發(fā)系統(tǒng)設(shè)計(jì) 33 晶閘管的過(guò)電流的保護(hù)措施有以下幾種： （ 1） 快速熔斷器 普通熔斷絲由于容短時(shí)間長(zhǎng)，用來(lái)保護(hù)晶閘管很可能在晶閘管燒壞之后熔斷器還沒(méi)有熔斷，這樣就起不了保護(hù)作 用。 晶閘管發(fā)生過(guò)電流的原因主要有：負(fù)載端過(guò)載或者短路；某個(gè)晶閘管被擊穿短路，造成其他元件的過(guò)電流；觸發(fā)電路工作不正?；蚴芨蓴_，使晶閘管誤觸發(fā)，引起過(guò)電流。 (3) 平波電抗器用于整流以后的直流回路中。在使用時(shí)，可控硅實(shí)際通過(guò)的最大平均電流應(yīng)低于通態(tài)平均電流，并要考慮電流波形的變化而進(jìn)行相應(yīng)的換算，再留有 倍到 2 倍的余量。例如一個(gè) 100A 的元件，在正弦半波 180176。在選用時(shí)，可控硅實(shí)際工作電壓的峰值應(yīng)低于額