數(shù)字電路第8章存儲器(文件)
【正文】 最小項順序編排，不可隨意亂編。 ［例題］用 PLA陣列實現(xiàn)四位二進制碼轉(zhuǎn)換成四位 Gray 碼的碼制變換器。 JHR JHR （ 2）由狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖畫次態(tài)卡諾圖 JHR JHR JHR 與 陣 列 或 陣 列 JHR 三、 PAL和 GAL的簡單說明 1. PAL可編程序陣列邏輯 ◆ PLA的與門陣列及或門陣列均是可編程的，其靈活性較大，但也帶來編程困難、價格較高的問題。 JHR ◆ PLA器件一般采用熔絲工藝，一次編程后，不能再改寫，給使用者帶來不方便，而且一旦選用了某種 PLA電路。 ［例題］試用 PLA實現(xiàn)一位二進制全加、全減電路。 （ 2）依題意列出真值表 （ 3）畫出卡諾圖 JHR JHR （ 4）化簡卡諾圖得最簡函數(shù)表達式 P X ZP X YYXPZXPYZNZYXX Y ZZYXZYXW?????????（ 5）畫出 PLA陣列圖 JHR ［例題］分別用 ROM和 PLA實現(xiàn)下列函數(shù)，分別畫出相應(yīng)的電路圖。顯然它的功能比 ROM完善，電路也比ROM復(fù)雜。 ◆ RAM的優(yōu)點是讀寫方便，使用靈活；缺點是斷電后存于 RAM的信息會丟失。 2. 16 1多字一位的 RAM結(jié)構(gòu)框圖◆數(shù)據(jù)的輸入輸出通道是共用的，讀出時，它是輸出端；寫入時它是輸入端。雙極型電路速度高；單極型功耗低，容量大。 （ 1）電路結(jié)構(gòu) JHR JHR 2）電路原理 ◆ T T2管為多發(fā)射極三極管，它們的基極和集電極的信號電平是作相反變化的，即基極電位高，集電極電位低；基極電位低，集電極電位高。 PLA的基本概念，熟悉它的結(jié)構(gòu)及應(yīng)用，請?zhí)貏e注意它與一般 ROM電路之間的異同。 。 JHR ，知道雙極型、單極型常用的 RAM存儲單元電路及其特點。 QJHR 本章小結(jié) 通過本章的學(xué)習(xí)要求做到： ，知道存儲器是數(shù)字系統(tǒng)中記憶大量令牌的數(shù)字部件，了解存儲器的分類情況。 RAM電路存儲單元 雙極型 RAM電路存儲單元有 TTL、 ECL、 I2L型等多種電路。 ◆一般 RAM電路還有片選控制端 S， S＝“ 1”時，RAM可在讀 /寫控制輸入 R/W的作用下作讀出或?qū)懭氩僮鳎?S＝“ 0”時， RAM被禁止讀寫。 ◆對于 2n m字位容量的 RAM電路，它共有 n位地址輸入線（即有 2n個字）和 m位數(shù)據(jù)輸出線。雙極型RAM工作速度高，但制造工藝復(fù)雜，成本高，功耗大，集成度低，主要用于高速場合； MOS型 JHR RAM又分為靜態(tài) MOS和動態(tài) MOS兩種，制造工藝簡單，成本低，功耗小，集成度高，但工作速度比雙極型 RAM低。 JHR JHR PLA實現(xiàn) （ 1）先將邏輯函數(shù) F F F3填入卡諾圖進行化簡 JHR ACDCBDCBCBAFACDCBDBAFDCBDCBCBADBAF???????????321JHR （ 2）畫出陣列圖 JHR 第四節(jié) 隨機存取存儲器（ RAM） 一、功能及結(jié)構(gòu) RAM電路（ Random Access Memory ）是一種能夠選擇任一存儲單元存入或取出數(shù)據(jù)的存儲器 ,是計算機的重要記憶部件，用來存儲數(shù)據(jù)或指令。 JHR 設(shè)輸入的一位二進制數(shù) X為被加（減）數(shù)，另一位二進制數(shù) Y為加數(shù)（減數(shù)）， Z為低位向本位的進位（借位）。 ◆ GLA通用陣列可克服 PLA上面兩個毛病，它采用 E2COMS工藝，即電改寫 COMS工藝，能在很短時間內(nèi)完成電擦除和電改寫的任務(wù)，而且與EPROM一樣，可多次改寫。因此在用 PAL構(gòu)成實現(xiàn)某個邏輯函數(shù)的電路時，每個輸出所表示的與或函數(shù)中，與項數(shù)不能超過或門陣列所固定的數(shù)目，目前在 PAL產(chǎn)品中或門陣列固定數(shù)目最大為 8。 ［例題］用組合 PLA及維持阻塞 D觸發(fā)器構(gòu)成時序PLA，完成同步十六進制加計時器計數(shù)功能。其字線的內(nèi)容是根據(jù)函數(shù)式“可編排”的。 JHR 一、 PLA的基本概念 PLA與一般 ROM電路比較： 相同點：均由一個“與”陣列和一個“或”陣列組成。 JHR 用 EPROM實現(xiàn)邏輯函數(shù)時，一般步驟為如下： （ 1）確定輸入變量數(shù)和輸出端個數(shù)； （ 2）將函數(shù)化為最小項之和的形式； （ 3）確定 EPROM的容量； （ 4）確定各存儲單元的內(nèi)容； （ 5）畫出相應(yīng)的點陣圖。因此可直接
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