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【正文】 二 )N溝道耗盡型 MOSFET ?UGS=0時； 正離子已感應(yīng)出反型層，在漏 源之間形成了溝道。 N溝道耗盡型 MOSFET的輸出特性曲線 : N溝道耗盡型的輸出特性曲線 ?在恒流區(qū)仍滿足： ID ?K(UGS UT)2 ID ? K(UGS UT)2(1+? UDS) ?對耗盡型 MOS管還可表示為： ID ?IDSS(1UGS/ Up)2 飽和漏極電流的值為： IDSS ? (181。 (三 )P溝道耗盡型 MOSFET ? 場效應(yīng)管的特性曲線類型比較多：根據(jù)導(dǎo)電溝道不同，以及增強型還是耗盡型 ,可有四種轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線，其電壓和電流方向也有所不同。 2. 伏安特性曲線 各類絕緣柵場效應(yīng)三極管的特性曲線 絕緣柵場效應(yīng)管 N 溝 道 增 強 型 P 溝 道 增 強 型 絕緣柵場效應(yīng)管 N 溝 道 耗 盡 型 P 溝 道 耗 盡 型 第二節(jié) 結(jié)型場效應(yīng)三極管 ? JFET的結(jié)構(gòu)與 MOSFET相似， 工作機理也相似。 ? 另一端是源極。此時 ID=0。 一 場效應(yīng)三極管的直流參數(shù) ① 開啟電壓 UT ② 夾斷電壓 UP ③ 飽和漏極電流 IDSS ④ 場效應(yīng)管柵源輸入電阻 RGS： 柵源間加固定電壓 UGS柵極電流 IGS之比，輸入電阻的典型值 : ? 結(jié)型場效應(yīng)管，反偏時 RGS約大于 107Ω， ? 絕緣柵場效應(yīng)管 RGS約是 109～ 1015Ω。 UG =0: UGS = IS RS = ID RS ?由此構(gòu)成直流偏壓，所以稱為自給偏壓式。 ?RG很大以減小對輸入電阻的影響。 (2). 改進(jìn)型外加偏壓： UGS = EDRL /(R1 + R2) ID RS ?對于 JFET,須保證 |US | |UG|時，放大器具有正確的偏壓。 。式中：?放大器的輸入電阻為 : ?放大器的輸出電阻為 : ri’=RG+(R1// R2)? RG ro’ ? RD 2 . 接入 CS時 : Ugs gm Ugs rds + Uo + G Ui RD RL R1 RG R2 S D ri39。????sgsmgssgsmioURUgURUgUUA（二） 共漏組態(tài)基本放大器 ?共漏放大器電路如圖 : ?與射極輸出器類似 : ?輸出阻抗低 ?電壓增益近似為 1 ri’= RG ?輸入電阻為 : 式中 : Rs’=rds//Rs // RL ? Rs // RL 1 ?求輸出電阻 : ： 令 Ui=0、 RL開路；在輸出端加測試電壓 Uot : Ugs= Uot 。39。)1(Ddsdsmid RrrgUI???ri’= Rs // ri ?輸入電阻為 : gm rds Ui rds + Uo + G Ui RD’ Rs S D Id + 等效 電路 (電壓源 ) ri’ ri ri= Ui // Id?1/ gm 當(dāng) rds RD’ , gm rds 1時： 所以： ri’ ? Rs // （ 1/ gm） ?輸出電阻為 : ro’ ? RD // rds ? RD ro’ (四 )三種接法基本放大電路的比較 三種基本放大電路的比較如下 組態(tài)對應(yīng)關(guān)系 CE / CB / CC CS / CG / CD ieLULieLUieLU +=CB1 )1( =CC =CEhRhARhhRhAhRhAfefefefe???????：：：DmUsmsmUsmDmU+=CG1 1 =CD 1 =CSRgARgRgARgRgA????????：：：電壓增益 三種基本放大電路的比較如下 組態(tài)對應(yīng)關(guān)系 CE / CB / CC CS / CG / CD 輸入電阻 Ri ) + /1 //( CB: CC: CE: ie e hfe h R CS： RG CD： RG CG： Rs//(1/gm) ieb // hR] )1(/ / [ Lieb RhhR fe??三種基本放大電路的比較如下 組態(tài)對應(yīng)關(guān)系 CE / CB / CC CS / CG / CD 輸出電阻 Ro cfes//bieec CB)1+//( CCCERhRRhRR：：：?CS： rds // RD CD： Rs//(1/gm) CG： RD 表 33 FET 三種組態(tài)性能比較 參數(shù)組態(tài)A
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