【總結】微電子器件基礎第八章半導體功率器件橫截面示意圖相互交叉的晶體管結構功率晶體管的特性1.較寬的基區(qū)寬度,更小的電流增益。2.大面積器件,更低的截至頻率。3.集電極最大額定電流遠大于于小信號晶體管。
2024-12-27 20:50
【總結】電流放大系數與頻率的關系對高頻信號進行放大時,首先用被稱為“偏置”或“工作點”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號疊加在輸入端的直流偏置上。當信號電壓的振幅遠小于(kT/q)時,稱為小信號。這時晶體管內與信號有關的各電壓、電流和電荷量,都由直流偏置和
2025-01-19 07:34
【總結】電阻器電阻,英文名resistance,通??s寫為R,它是導體的一種基本性質,與導體的尺寸、材料、溫度有關。歐姆定律說,I=U/R,那么R=U/I,電阻的基本單位是歐姆,用希臘字母“Ω”表示,有這樣的定義:導體上加上一伏特電壓時,產生一安培電流所對應的阻值。電阻的主要職能就是阻礙電流流過。事實上,“電阻”說的是一種性質,而通常在電子產品中所指的電阻,是指電阻器這樣一種元件。師傅對徒弟說:“
2025-08-04 14:51
【總結】石墨烯在電子器件制作中的應用Theapplicationofgrapheneinthefabricationofelectronicdevices本論文主要內容:1簡介2石墨烯在電子器件中的應用3研究進展與應用前景石墨烯是碳原子六角結構(蜂窩狀)緊密排列的二維單層石墨層。自2021年被科學家發(fā)
2025-05-11 01:29
【總結】第四講全控型電力電子器件概述門極可關斷晶閘管(Gate-Turn-OffThyristor—GTO)在晶閘管問世后不久出現;20世紀80年代以來,信息電子技術與電力電子技術在各自發(fā)展的基礎上相結合——高頻化、全控型、采用集成電路制造工藝的電力電子器件,從而將電力電子技術又帶入了一個嶄新時代;典型代表——門極可關斷晶閘管、電力晶體管(GiantTransistor——G
2025-06-16 17:38
【總結】電力電子器件的發(fā)展現狀和技術對策2005-7-18摘要:敘述T電力電子器件的發(fā)展現狀、主要技術和應用狀況,并討論了今后的發(fā)展方向。關鍵詞電力電子器件,功率MOSFET,功率ICl引言電力電子技術包括功率半導體器件與IC技術、功率變換技術及控制技術等幾個方面,,其應用已橙蓋了工業(yè)、民用、通信、交通等各個領域。分立功率器件能處理越來越高的電流和電壓;功率lC中已將CMOS、高性能雙極和
2025-06-22 00:16
【總結】光電子器件理論與技術主講人:婁淑琴電學(或電子學)和光學(或光子學)在表面看來是兩個獨立的學科。在深入研究的過程中,人們發(fā)現兩者有著非常密切的內在聯(lián)系。光與電打交道的第一個回合是19世紀60年代麥克斯韋提出的光的電磁波理論,他明確指出無線電波和光波都是電磁波。光和電第一個回合
2025-08-01 12:32
【總結】集成微電子器件主講:徐靜平教授緒??????論l微電子器件的發(fā)展歷史和現狀:1947年:點接觸晶體管問世;1950年代:可控制導電類型的超高純度單晶問世,結型晶體管出現(取代真空管,收音機);1960年代:第一代集成電路(IC)出現,電視時代;1970年代:集成電路(IC)
2024-12-28 15:55
【總結】第三講半控型電力電子器件—晶閘管概述晶閘管(Thyristor):晶體閘流管,可控硅整流器(SiliconControlledRectifier——SCR)。1956年美國貝爾實驗室(BellLab)發(fā)明了晶閘管;1957年美國通用電氣公司(GE)開發(fā)出第一只晶閘管產品;1958年商業(yè)化,開辟了電力電子技術迅速發(fā)展和廣泛應用的嶄新時代;20世紀80年代以來,開
2025-06-24 08:14
【總結】1.光電導長度對光電流的影響()ppnpAAIUgUUqnLL?????????out2()npqUNL?????ininNN=:outoutVnpgNNV????????????????,:入射的光子數,:量子效率,產
2024-12-31 22:44
【總結】目錄第一章電力電子元器件行業(yè)概述........................3電力電子元器件產品概述................................3電力電子器件的今后發(fā)展動向............................3第二章、電力電子元器件應用領域分析預測.................4變頻器-
2024-12-15 21:21
【總結】通訊IQC電子器件培訓修訂日期修訂單號修訂內容摘要頁次版次修訂審核批準2011/03/30/系統(tǒng)文件新制定4A/0///
2025-04-02 00:19
【總結】短溝道效應當MOSFET的溝道長度L↓時,分立器件:集成電路:??????MmaxpgmonmD,,,,,fKRgI?但是隨著L的縮短,將有一系列在普通MOSFET中不明顯的現象在短溝道MOSFET中變得嚴重起來,這一系
2025-04-29 00:54
【總結】-光電轉換的橋梁徐徐征征北京交通大學理學院光電子技術研究所v徐征博士教授博士生導師北京交通大學光電子技術研究所光學學會光電專業(yè)委員會委員中國儀器儀表學會光機電技術與系統(tǒng)集成分會理事《液晶與顯示》雜志編委《光電子·激光》雜志編委《光譜學與光譜分析》
【總結】報告人:高大永熱電材料的發(fā)展現狀及應用前言在當今時代,環(huán)保和節(jié)能已經成為時代的主題。如何開發(fā)新的綠色能源,如何更好的做到低功耗,如何更好的保護環(huán)境又不影響人類的發(fā)展,成為研究的重點。熱電轉化器件,因為具有環(huán)保、能源回收等多種優(yōu)點