led液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)原理(已修改)
2025-07-07 07:07 本頁(yè)面
【正文】 LED液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)原理艾布納科技有限公司前兩次跟大家介紹有關(guān)液晶顯示器操作的基本原理, 那是針對(duì)液晶本身的特性,與 TFT LCD 本身結(jié)構(gòu)上的操作原理來(lái)做介紹. 這次我們針對(duì) TFT LCD 的整 體系統(tǒng)面來(lái)做介紹, 也就是對(duì)其驅(qū)動(dòng)原理來(lái)做介紹, 而其驅(qū)動(dòng)原理仍然因?yàn)橐恍?架構(gòu)上差異的關(guān)系, 而有所不同. 首先我們來(lái)介紹由于 Cs(storage capacitor)儲(chǔ)存 電容架構(gòu)不同, 所形成不同驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)架構(gòu)的原理.Cs(storage capacitor)儲(chǔ)存電容的架構(gòu)一般最常見(jiàn)的儲(chǔ)存電容架構(gòu)有兩種, 分別是Cs on gate與Cs on mon這兩 種. 這兩種顧名思義就可以知道, 它的主要差別就在于儲(chǔ)存電容是利用gate走線(xiàn) 或是mon走線(xiàn)來(lái)完成的. 在上一篇文章中, 我曾提到, 儲(chǔ)存電容主要是為了 讓充好電的電壓,能保持到下一次更新畫(huà)面的時(shí)候之用. 所以我們就必須像在 CMOS的制程之中, 利用不同層的走線(xiàn), 來(lái)形成平行板電容. 而在TFT LCD的制 程之中, 則是利用顯示電極與gate走線(xiàn)或是mon走線(xiàn),所形成的平行板電容,來(lái) 制作出儲(chǔ)存電容Cs. 圖1就是這兩種儲(chǔ)存電容架構(gòu), 從圖中我們可以很明顯的知道, Cs on gate由 于不必像Cs on mon一樣, 需要增加一條額外的mon走線(xiàn), 所以它的開(kāi)口 率(Aperture ratio)會(huì)比較大. 而開(kāi)口率的大小, 是影響面板的亮度與設(shè)計(jì)的重要 因素. 所以現(xiàn)今面板的設(shè)計(jì)大多使用Cs on gate的方式. 但是由于Cs on gate的方 式, 它的儲(chǔ)存電容是由下一條的gate走線(xiàn)與顯示電極之間形成的.(請(qǐng)見(jiàn)圖2的Cs on gate與Cs on mon的等效電路) 而gate走線(xiàn), 顧名思義就是接到每一個(gè)TFT 的gate端的走線(xiàn), 主要就是作為gate driver送出信號(hào), 來(lái)打開(kāi)TFT, 好讓TFT對(duì)顯示電極作充放電的動(dòng)作. 所以當(dāng)下一條gate走線(xiàn), 送出電壓要打開(kāi)下一個(gè)TFT時(shí) , 便會(huì)影響到儲(chǔ)存電容上儲(chǔ)存電壓的大小. 不過(guò)由于下一條gate走線(xiàn)打開(kāi)到關(guān)閉的 時(shí)間很短,(以1024*768分辨率, 60Hz更新頻率的面板來(lái)說(shuō). 一條gate走線(xiàn)打開(kāi)的 時(shí)間約為20us, 而顯示畫(huà)面更新的時(shí)間約為16ms, 所以相對(duì)而言, 影響有限.) 所 以當(dāng)下一條gate走線(xiàn)關(guān)閉, 回復(fù)到原先的電壓, 則Cs儲(chǔ)存電容的電壓, 也會(huì)隨之 恢復(fù)到正常. 這也是為什么, 大多數(shù)的儲(chǔ)存電容設(shè)計(jì)都是采用Cs on gate的方式 的原因.至于 mon 走線(xiàn), 我們?cè)谶@邊也需要順便介紹一下. 從圖 2 中我們可以發(fā) 現(xiàn), 不管您采用怎樣的儲(chǔ)存電容架構(gòu), Clc 的兩端都是分別接到顯示電極與 mon. 既然液晶是充滿(mǎn)在上下兩片玻璃之間, 而顯示電極與 TFT 都是位在同 一片玻璃上, 則 mon 電極很明顯的就是位在另一片玻璃之上. 如此一來(lái), 由 液晶所形成的平行板電容 Clc, 便是由上下兩片玻璃的顯示電極與 mon 電極 所形成. 而位于 Cs 儲(chǔ)存電容上的 mon 電極, 則是另外利用位于與顯示電極同一片玻璃上的走線(xiàn), 這跟 Clc 上的 mon 電極是不一樣的,
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