半導(dǎo)體芯片制造中級復(fù)習(xí)題a(已修改)
2025-06-19 16:56 本頁面
【正文】 半導(dǎo)體芯片制造中級工復(fù)習(xí)題 一 判斷題：1. 單晶是原子或離子沿著三個不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學(xué)取向所堆垛起來的遠程有序的晶體。( √ )2. 遷移率是反映半導(dǎo)體中載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù)。摻雜半導(dǎo)體的電導(dǎo)率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導(dǎo)率就越高。(√)3. 點缺陷，如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它們構(gòu)成的復(fù)合體。(√)4. 位錯就是由范性形變造成的，它可以使晶體內(nèi)的一原子或離子脫離規(guī)則的周期排列而位移一段距離，位移區(qū)與非位移區(qū)交界處必有原子的錯位，這樣產(chǎn)生線缺陷稱為位錯。(√)5. 拋光片的電學(xué)參數(shù)包括電阻率，載流子濃度，遷移率，直徑、厚度、主參考面等。()6. 液相外延的原理是飽和溶液隨著溫度的降低產(chǎn)生過飽和結(jié)晶。( √ )7. 離子源是產(chǎn)生離子的裝置。（√ ）8. 半導(dǎo)體芯片制造工藝對水質(zhì)的要求一般. （）9. 光致抗蝕劑在曝光前對某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質(zhì)，這一類抗蝕劑稱為負性 光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負性膠。 （√）10. 設(shè)備、試劑、氣瓶等所有物品不需經(jīng)嚴格清潔處理，可直接進入凈化區(qū)。 （）11. 干法腐蝕清潔、干凈、無脫膠現(xiàn)象、圖形精度和分辨率高。 （√）12. 光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。 （）13. 在半導(dǎo)體集成電路中，各元器件都是制作在同一晶片內(nèi)。因此要使它們起著預(yù)定的作用而不互相影響，就必須使它們在電性能上相互絕緣。 （√）14. 金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜，帶膠蒸發(fā)或濺射所需的金屬，然后在去除光致抗蝕劑膜的同時，把膠膜上的金屬一起去除干凈。（√）15. 表面鈍化工藝是在半導(dǎo)體芯片表面復(fù)蓋一層保護膜，使器件的表面與周圍氣氛隔離。（√）二 選擇題1. 下列材料屬于N型半導(dǎo)體是 AC 。 A 硅中摻有元素雜質(zhì)磷(P)、砷(As) B．硅中摻有元素雜質(zhì)硼(B)、鋁(Al) C 砷化鎵摻有元素雜質(zhì)硅(Si)、碲(Te) D．砷化鎵中摻元素雜質(zhì)鋅、鎘、鎂2. 屬于絕緣體的正確答案是 B 。 A 金屬、石墨、人體、大地 B 橡膠、塑料、玻璃
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