存儲(chǔ)器原理與接口(2)(已修改)
2025-06-07 06:45 本頁面
【正文】 內(nèi)存在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的地位 計(jì)算機(jī)通過執(zhí)行程序控制其運(yùn)行 程序存儲(chǔ)在內(nèi)存中 第 3章 存儲(chǔ)器原理與接口 ? 存儲(chǔ)器基礎(chǔ)知識 ? 存儲(chǔ)器接口技術(shù) ? 微型機(jī)系統(tǒng)中存儲(chǔ)器的體系結(jié)構(gòu) 一、存 儲(chǔ) 器 基 礎(chǔ) 知 識 存儲(chǔ)器的分類 選擇存儲(chǔ)器件的考慮因素（性能指標(biāo)） 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RAM 只讀存儲(chǔ)器 ROM. 存儲(chǔ)器的分類 按用途和特點(diǎn)分類 按存儲(chǔ)器存取方式分類 按構(gòu)成存儲(chǔ)器的器件和存儲(chǔ)介質(zhì)分類 按 用 途 和 特 點(diǎn) 分 類 外部存儲(chǔ)器 （輔助存儲(chǔ)器，外存，External Memory） 用來存放不經(jīng)常使用的程序和數(shù)據(jù)， CPU不能直接訪問它。屬計(jì)算機(jī)的外部設(shè)備 ,是為彌補(bǔ)內(nèi)存容量的不足而配置的，容量大，成本低，所存儲(chǔ)信息既可以修改也可以長期保存，但存取速度慢。需要配置專門的驅(qū)動(dòng)設(shè)備才能完成對它的訪問，如硬盤、軟盤驅(qū)動(dòng)器等。 緩沖存儲(chǔ)器 （緩存， Cache Memory） 位于主存與 CPU之間，其存取速度非?？?，但存儲(chǔ)容量更小，可用來解決存取速度與存儲(chǔ)容量之間的矛盾，提高整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行速度。 內(nèi)部存儲(chǔ)器 （主存儲(chǔ)器，內(nèi)存， Main Memory） 用來存放計(jì)算機(jī)正在執(zhí)行的或經(jīng)常使用的程序和數(shù)據(jù)。 CPU可以直接對它進(jìn)行訪問。一般是由半導(dǎo)體存儲(chǔ)器構(gòu)成，通常裝在主板上。存取速度快，但容量有限，其大小受地址總線位數(shù)的限制。 按 用 途 和 特 點(diǎn) 分 類 按 存 儲(chǔ) 器 存 取 方 式 分 類 按存放信息原理不同 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RAM (Random Access Memory) 只讀存儲(chǔ)器 ROM (ReadOnly Memory) 又稱讀寫存儲(chǔ)器，指能夠通過指令隨機(jī)地、個(gè)別地對其中各個(gè)單元進(jìn)行讀 /寫操作的一類存儲(chǔ)器。 在微機(jī)系統(tǒng)的在線運(yùn)行過程中，只能對其進(jìn)行讀操作，而不能進(jìn)行寫操作的一類存儲(chǔ)器。 靜態(tài)RAM 動(dòng)態(tài)RAM 掩膜 ROM（ MROM） 可編程 ROM（ PROM） 可擦除編程 ROM（ EPROM） 可電擦除可編程 ROM（ E2PROM） 閃爍存儲(chǔ)器 Flash 按工藝不同 只讀存儲(chǔ)器 ROM 掩膜 ROM：信息制作在芯片中 ， 不可更改 。 PROM：允許一次編程 ， 此后不可更改 。 EPROM：用紫外光擦除 ， 擦除后可編程；并允許用戶多次擦除和編程 。 EEPROM（ E2PROM） ：采用加電方法在線進(jìn)行擦除和編程 ， 也可多次擦寫 。 Flash Memory（ 閃存 ） ：能夠快速擦寫的 EEPROM，但只能按塊 （ Block） 擦除 。 讀寫存儲(chǔ)器 RAM 組成單元 速度 集成度 應(yīng)用 SRAM 觸發(fā)器 快 低 小容量系統(tǒng) DRAM 極間電容 慢 高 大容量系統(tǒng) NVRAM 帶微型電池 慢 低 小容量非易失 RAM的分類 SRAM（ Static RAM，靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器） 速度快、容量低、功耗大、價(jià)格高 DRAM（ Dynamic RAM，動(dòng)態(tài) RAM） 容量高、功耗小、價(jià)格低 按構(gòu)成存儲(chǔ)器的器件和存儲(chǔ)介質(zhì)分類 ? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 ? 磁表面存儲(chǔ)器 ? 光電存儲(chǔ)器 選擇存儲(chǔ)器件的考慮因素（性能指標(biāo)） 存儲(chǔ)容量 存取速度 功耗 可靠性 價(jià)格 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RAM SRAM（ Static RAM，靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器） 速度快、容量低、功耗大、價(jià)格高 DRAM（ Dynamic RAM，動(dòng)態(tài) RAM） 容量高、功耗小、價(jià)格低 常見的典型 SRAM芯片有 Intel的“ 61”系列和“ 62”系列：例如常用的有 611 621 616 62662256等。 該系列芯片的容量為 XK 8位，例如 6116的容量為 2K 8位，它的地址線有 11根，數(shù)據(jù)線有 8根，控制線有 3條，片選信號 CS、輸出允許信號 OE和讀寫控制信號 WE。 SRAM芯片 6264 ? 存儲(chǔ)容量為 8K 8 ? 28個(gè)引腳： ? 13根地址線 A12～ A0 ? 8根數(shù)據(jù)線 D7～ D0 ? 片選 CS1*、 CS2 ? 讀寫 WE*、 OE* 功能 +5V WE* CS2 A8 A9 A11 OE* A10 CS1* D7 D6 D5 D4 D3 NC A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
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