多弧離子鍍調(diào)查研究報告(已修改)
2025-05-04 23:39 本頁面
【正文】 專業(yè)資料分享 多弧離子鍍技術(shù)的現(xiàn)狀調(diào)研引言物理氣相沉積技術(shù)早在20世紀初已有些應(yīng)用，但在最近30年迅速發(fā)展，成為一門極具廣闊應(yīng)用前景的新技術(shù)，并向著環(huán)保型、清潔型趨勢發(fā)展。20世紀90年代初至今，在鐘表行業(yè)，尤其是高檔手表金屬外觀件的表面處理方面得到越來越為廣泛的應(yīng)用。離子鍍技術(shù)是在真空蒸鍍和真空濺射的基礎(chǔ)上于20世紀60年代初發(fā)展起來的新型薄膜制備技術(shù)，于1963年由D．M．Mattox提出，1971年Chamber等發(fā)表了電子束離子鍍技術(shù)，1972年又出現(xiàn)了反應(yīng)蒸發(fā)鍍（ARE）技術(shù)，并制作了TIN及TIC超硬膜。同年，MOLEY和SMITH將空心陰極技術(shù)應(yīng)用于鍍膜。多弧離子鍍屬于離子鍍的一種改進方法，是離子鍍技術(shù)中的皎皎者。最早由蘇聯(lián)人開發(fā)，80年代初，美國的MultiArc公司首先把這種技術(shù)實用化，至此離子鍍達到工業(yè)應(yīng)用水平。離子鍍種類很多，蒸發(fā)遠加熱方式有電阻加熱、電子束加熱、等離子電子束加熱、高頻感應(yīng)加熱等 然而多弧離子鍍與一般的離子鍍有著很大的區(qū)別。多弧離子鍍采用的是弧光放電，而并不是傳統(tǒng)離子鍍的輝光放電進行沉積。簡單的說，多弧離子鍍的原理就是把陰極靶作為蒸發(fā)源，通過靶與陽極殼體之間的弧光放電，使靶材蒸發(fā)，從而在空間中形成等離子體，對基體進行沉積。由于多弧離子鍍技術(shù)具有鍍膜速度高，膜層的致密度大，膜的附著力好等特點，使多弧離子鍍鍍層在工具、模具的超硬鍍膜、裝飾鍍膜等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛，并將占據(jù)越來越重要的地位。離子鍍技術(shù)是當前使用面最為廣泛、最為先進的表面處理技術(shù)之一，而多弧離子鍍更是其中的佼佼者。據(jù)不完全統(tǒng)計，國內(nèi)外有近一半以上表面處理使用多弧離子鍍技術(shù)， 尤其是那些需要耐磨、耐蝕及特殊要求的場合。隨著社會的進步，科學的發(fā)展，離子鍍技術(shù)必將加完善。目錄引言 11 物理氣相沉積技術(shù) 3 3 3 PLATIT涂層設(shè)備公司 3 賽利涂層技術(shù)有限公司 4 歐瑞康巴爾查斯有限公司 4 德國PVT涂層有限公司 4 瑞士Sulzer 4 亞特梯爾鍍層科技有限公司 5 愛恩邦德技術(shù)有限公司 5 豪澤（Hauzer）技術(shù)鍍層公司 5 北京丹普表面技術(shù)有限公司 6 物理氣相沉積技術(shù)總結(jié) 62多弧離子鍍 6 6 7 7 7 83多弧離子鍍技術(shù)制備銀膜 9 9 9 94生產(chǎn)成本分析 9 9 10： 10 10 10 10 11 115多弧離子鍍工藝問題分析和改進方向 11 11 11 靶源電流 11 12 126結(jié)語 131 物理氣相沉積技術(shù)物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，PVD)技術(shù)是在真空條件下，采用物理方法，將材料源——固體或液體表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體（或等離子體）過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。 物理氣相沉積的主要方法有（1）真空蒸鍍；（2）濺射鍍膜；（3）離子鍍膜。發(fā)展到目前，物理氣相沉積技術(shù)不僅可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導(dǎo)體、聚合物膜等。真空蒸鍍基本原理是在真空條件下，使金屬、金屬合金或化合物蒸發(fā)，然后沉積在基體表面上，蒸發(fā)的方法常用電阻加熱，高頻感應(yīng)加熱，電子束、激光束、離子束高能轟擊鍍料，使其蒸發(fā)成氣相，然后沉積在基體表面，歷史上真空蒸鍍是PVD法中使用最早的技術(shù)。濺射鍍膜基本原理是充氬氣的真空條件下，使氬氣進行輝光放電，這時氬原子電離成氬離子，氬離子在電場力的作用下，加速轟擊以鍍料制作的陰極靶材，靶材會被濺射出來而沉積到工件表面。如果采用直流輝光放電，稱直流(Qc)濺射，射頻(RF)輝光放電引起的稱射頻濺射。磁控(M)輝光放電引起的稱磁控濺射。離子鍍基本原理是在真空條件下，采用某種等離子體電離技術(shù)，使鍍料原子部分電離成離子，同時產(chǎn)生許多高能量的中性原子，在被鍍基體上加負偏壓。這樣在深度負偏壓的作用下，離子
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