soi及其制備工藝-文庫(kù)吧
2025-07-20 18:43 本頁(yè)面
【正文】 引入復(fù)合中心） ? 自加熱效應(yīng) BOX熱導(dǎo)率低 4 典型 1mm CMOS工藝條件下體硅和 SOI器件的寄生電容 (pF/mm2) 電容類型 SOI(SIMOX) 體 硅 電容比 (體硅 /SOI) 柵 1 結(jié)與襯底 ～ 4～ 7 多晶硅與襯底 金屬 1與襯底 金屬 2與襯底 5 概述 SOI 的制備： SOI材料制造技術(shù)分類 多晶 /非晶單晶化 硅單晶薄膜的沉積 熔融再結(jié)晶（ ZMR） 固相外延（ SPE） 束致再結(jié)晶 激光或電子束 區(qū)熔再結(jié)晶 石墨條加熱或鹵素?zé)? 單晶襯底的隔離 氧離子注入形成 SiO2埋層（ SIMOX） BESOI、 Smartcut、 SIMBOND工藝 多孔硅氧化隔離法（ FIPOS） 選擇外延橫向生長(zhǎng)法（ ELO）(厚膜、抗輻射 ) 異質(zhì)外延法（ SOS（污染、透明、抗輻射） ,SOZ,SOM等） 6 SIMOX SIMOX工藝流程： SIMOX ( Separate by IMplant Oxygen ),又稱注氧隔離技術(shù)。此方法有兩個(gè)關(guān)鍵步驟：離子注 入和退火。在注入過(guò)程中，氧離子被注入圓片里，與硅發(fā)生反應(yīng)形成二氧化硅沉淀物。然 而注入對(duì)圓片造成相當(dāng)大的損壞，而二氧化硅沉淀物的均勻性也不好。隨后進(jìn)行的高溫 退火能幫助修復(fù)圓片損壞層并使二氧化硅沉淀物的均勻性保持一致。這時(shí)圓片的質(zhì)量得以 恢復(fù)而二氧化硅沉淀物所形成的埋層具有良好的絕緣性。 S i s u b s t r a t e S i s u b s t r a t eSi substrate O +
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