【正文】 =40181。A IB =60181。A IB增加 IB 減小 IB = 20181。A IB= 0 181。A 晶體管的三個工作區(qū)－ 截止區(qū) IB=0以下的區(qū)域 飽和區(qū) IC / mA UCE /V 0 IB= 0 181。A 20181。A 40 181。A 60 181。A 80 181。A 放 大 區(qū) 截止區(qū) 條件： 發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都處于反偏狀態(tài)。 特點： IB=0， IC ? 0 嚴(yán)格說， IB=0， IC≤ICEO 管子基本不導(dǎo)電。 晶體管的三個工作區(qū)－ 放大區(qū) 交流 共射 電流放大系數(shù) ： BCII???? 條件： 發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置。 飽和區(qū) IC / mA UCE /V 0 IB= 0 181。A 20181。A 40 181。A 60 181。A 80 181。A 放 大 區(qū) 截止區(qū) 特點： Ｉ C = ? IB 曲線幾乎水平 ,Ｉ C與 UCE無關(guān)，僅僅由 IB決定。 通常，認為 ? ≈ ? 。 晶體管的三個工作區(qū) 飽和區(qū) 特點： Ｉ C ? ? IB。 此時 IB ＞０， UCE 較小。IC不受 IB的控制， IC隨 UCE增加而增加 ,。 飽和區(qū) IC / mA UCE /V 0 IB= 0 181。A 20181。A 40 181。A 60 181。A 80 181。A 放 大 區(qū) 截止區(qū) 條件： 反射結(jié)和集電結(jié)均處于正向偏置。 管子飽和時的 UCE叫 UCES。 當(dāng) UCB =0時，晶體管處于 臨界飽和 狀態(tài)。 晶體管的三個工作區(qū)域比較 (發(fā)射結(jié)正向偏置且集電結(jié)反向偏置 ) 工作區(qū)域 外部條件 特點 截止區(qū) IB=0， IC?0 (IC≤ICEO) UBE ? Uon 且 UCE ? UBE （發(fā)射結(jié)電壓小于開啟電壓且集電結(jié)反偏） 放大區(qū) IC = ? IB (IC僅僅由 IB決定 ) UBE ? Uon 且 UCE ? UBE 飽和區(qū) （發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均正向偏置） UBE ? Uon 且 UCE ? UBE IC ? ? IB (IC隨 uCE的增大而增大 ) 臨界飽和 （臨界放大） UCE = UBE即 UCB = 0 ICS = ? IBS 溫度升高時，輸入特性曲線將左移，在室溫附近，溫度每升高 1℃ ， |UBE|減小2~。 0 I / mA UBE / V 75℃ 20℃ ３ .溫度對晶體管特性及參數(shù)的影響 （１）溫度對輸入特性曲線的影響 １溫度對 ICEO 和 ICBO的影響： (2)溫度對輸出特性曲線的影響 UCE/ V IC /mA 75℃ 20℃ 75℃ 20℃ 75℃ 20℃ 每升高 10 ℃ ， ICBO增大一倍， ICEO也是。 ２溫度對 ?的影響： 溫度升高輸出特性上移（溫度升高時， ? 增加， iC的變化量增大）。 溫度升高， ?增大，每升高 1 ℃ ， ?增大 ～ 1%。輸出特性曲線間距增大。 ２ .１ .4 晶體三極管的主要參數(shù) （１）在不同接法下的直流比 ２）直流共射電流系數(shù) BCBC E OCIIIII ????ECEC B OCIIIII???? 一般在 ? 一般在 19?199 （ 2）極間反向電流： １ . 直流參數(shù) 1）直流共基電流系數(shù) ICEO和 ICBO ： ICEO=（ 1+ ? ） ICBO (1) 電流放大系數(shù) ,CCBEIIII??? ? ? ?????????， （ 2） 特征頻率 fT 使 ? 的數(shù)值下降為 1時輸入信號頻率稱為 fT。 (因存在結(jié)電容， ?是輸入信號頻率的函數(shù)， f高到一定程度， ?下降且產(chǎn)生相移 。 ） （ 1）集電極最大允許 耗散功率 PCM PCM= IC ? UCE=常數(shù) （ 決定于溫升。 T硅 ?150186。、 T鍺 ?70186。性能明顯變壞） 3. 極限參數(shù)（詳見第五章） UCE IC U(BR)CEO ICM PCM=ICUCE （ 2）集電極最大允許電流 ICM 使 ?明顯下降的 IC即為 ICM （通常合金小功率管選 uCE=1v, 由 PCM 定義 ICM) （ 3）極間反向擊穿電壓 如果加在 PN結(jié)上反向偏置電壓太高， PN結(jié)就會反向擊穿。這些電壓不僅取決于電路本身，還和電路連接方法有關(guān)。 U (BR) CEO ： 基極開路時集電極－發(fā)射極的反向擊穿電壓。 安 全 工 作 區(qū) UCE IC U(BR)CEO ICM PCM=ICUCE （４）晶體管的安全工作區(qū) 3. 極限參數(shù)（詳見第五章） ２ .１ .５ 晶體管的類型及選用原則 １ .類型 根據(jù)材料分為硅管和鍺管； 根據(jù)三個區(qū)的摻雜方式分為 NPN、 PNP管； 根據(jù)使用的頻率范圍分為低頻管和高頻管； 根據(jù)允許的功率損耗分為小功率管、中功率管和大功率管。 ３ .晶體管的選用原則 （ 1）同型號的管子選反向電流較小的； （ 2） ?值不宜太大，一般在幾十～ 100之間； （ 3）要求反向電流小、工作溫度高選硅管；要求導(dǎo)通電壓低選鍺管； （ 4）工作信號頻率高選高頻管；開關(guān)電路選開關(guān)管； （ 5）保證管子工作在安全區(qū)。包括最大集電極電流、最大功耗、反向擊穿電壓、散熱條件等。 NPN、 PNP管 在放大電路中外部條件比較 e c e c b b NPN PNP （ UE最低） （ UC最低） （ UC最高） （ UE最高） （ UBE=UON） 正值 （ UBE=UON） 負值 晶體管的應(yīng)用舉例 例： 測得某電路中幾只 NPN晶體管三個極的直流電位如表所示，各晶體管 B－ E間的導(dǎo)通電壓 Uon均為。 試分別說明各管子的工作狀態(tài)。 晶體管 基極直流電位 UB/V 發(fā)射極直流電位 UE/V 集電極直流電位 UC/V 工作狀態(tài) T1 T2 T3 T4 1 1 0 0 5 0 0 15 放大 放大 飽和 截止 光電三極管（自學(xué)） 光電三極管依據(jù)光照的強度來控制集電極電流的大小。 其功能可以等效為一個光電二極管和一只晶體三極管相連。 e 符號 c c e 等效電路 光電晶體管的輸出特性曲線 光電三極管的輸出特性與普通三極管的輸出特性曲線相同，只是用入射光強度 E取代基極電流 IB。 晶體管的外觀 放大的概念和放大電路的主要性能指標(biāo) 放大的概念和放大電路的組成條件 用小的變化量去控制一個較大的量的變化。要求不失真的“線性放大”。 放大電路利用晶體管實現(xiàn)能量的控制與轉(zhuǎn)換。 放大作用的實質(zhì)就是晶體管的電流、電壓或功率的控制作用。輸出的較大能量來自于直流電源 VCC，而不是晶體三極管。 對象：變化量 實質(zhì)：能量的控制和轉(zhuǎn)換 基本特征：功率放大 前提條件：不失真 測試信號：正弦波 能量控制器件：有源元件 放大電路中能夠控制能量轉(zhuǎn)換的元件稱為 有源元件（如晶體管）。 一般包含電壓放大電路和功率放大電路。 電壓放大電路 將微弱電壓加以放大從而推動功率放大電路，通常工作在小信號狀態(tài)。 功率放大電路 輸出較大的功率，推動執(zhí)行元件，工作在大信號狀態(tài)。 擴音機 示意圖： VCC 要保證放大電路具有放大作用，必須滿足如下條件： （ 1）晶體管工作在放大區(qū)（發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié) 反偏）。 （ 2）輸入信號必須能夠作用于放大管的輸入回路。 （ 3）當(dāng)負載接入時，放大管輸出回路的動態(tài)電流或電壓能夠作用于負載，從而使負載獲得比輸入回路信號大得多的信號電流或信號電壓。 放大電路示意圖 放大電路的性能指標(biāo) 信號源 信號源內(nèi)阻 輸入電壓 輸