【正文】 體（氬氣）通過管的末端流進(jìn)石墨管，再從樣品入口處逸出。這一氣流保證了在灰化階段所生成的基體組份的蒸氣出來而產(chǎn)生強(qiáng)的背景信號(hào)。石墨管兩端的可卸石英窗可以防止空氣進(jìn)入，為了避免石墨管氧化，在金屬套管左上方另通入惰性氣體使它在石墨管的周圍（在金屬套管內(nèi)）流動(dòng)，保護(hù)石墨管 。 爐體的結(jié)構(gòu)對(duì)石墨爐原子分析法的性能有重要的影響，因此要求： ① 接觸良好 石墨管（杯）與爐座間接觸應(yīng)十分吻合，而且要有彈性伸縮，以適應(yīng)石墨管熱脹伸縮的位置。 ② 惰性氣體保護(hù) 為防止石墨的高溫氧化作用，減少記憶效應(yīng)，保護(hù)已熱解的原子蒸氣不在被氧化，可及時(shí)排泄分析過程中的煙霧，因此在石墨爐加熱過程中（除原子化階段內(nèi)內(nèi)氣路停氣之外）需要有足量（ 1~2升 /分）的惰性氣體作保護(hù)。通常使用的惰性氣體主要是氬氣 。 石墨爐的氣路分為 外氣路 和 內(nèi)氣路 且單獨(dú)控制方式，外氣路用于保護(hù)整個(gè)爐體內(nèi)腔的石墨部件，是連續(xù)進(jìn)氣的。 內(nèi)氣路從石墨管兩端進(jìn)氣，由加樣孔出氣 ， 并設(shè)置可控制氣體流量和停氣等程序 。 ③ 水冷保護(hù) 石墨爐在 2 ~ 4秒內(nèi) ， 可使溫度上升到 3000?C， 有些稀土元素 ，甚至要更高的溫度 。 但爐體表面溫度不能超過 60 ~ 80 ?C。 因此 ，整個(gè)爐體有水冷卻保護(hù)裝置 ， 如水溫為 200 ?C時(shí) ， 水的流量 1~2升 /分 ， 爐子切斷電源停止加熱 ， 在 20~30秒內(nèi) ， 即可冷卻到室溫 。 。 2. 石墨爐電源 石墨爐電源是一種 低壓（ 8~12V） 大電流（ 300 ~ 600A） 而穩(wěn)定的交流電源 。設(shè)有能自動(dòng)完成干燥、灰化、原子化、凈化階段的操作程序。 石墨管溫度取決于流過的電流強(qiáng)度。石墨管在使用過程中，石墨管本身的電阻和接觸電阻會(huì)發(fā)生改變，從而導(dǎo)致石墨管溫度的變化。因此電路結(jié)構(gòu)應(yīng)有“穩(wěn)流”裝置。 3. 石墨管 目前商品石墨爐主要使用普通石墨管和熱解石墨管，普通石墨管升華點(diǎn)低（ 3200 ?C ），易氧化，使用溫度必須低于 2700 ?C ，因此長期以來， HGA系列石墨爐使用溫度限在 2700 ?C以下。 熱解石墨管（ PGT ） 是在普通石墨管中通入甲烷蒸氣（ 10%甲烷與 90 % 氬氣混合）在低壓下熱解，使熱解石墨（碳）沉積在石墨管（棒）上，沉積不斷進(jìn)行，結(jié)果在石墨管壁上沉積一層致密堅(jiān)硬的熱解石墨。 熱解石墨具有很好的耐氧化性能，升華溫度高，可達(dá) 3700 ?C。 熱解石墨其滲氣速度低（ 106cm/s） 。 還具有良好的惰性，因而不易與高溫元素（如 V、 Ti、 Mo等）形成碳化物而影響原子化。有較好的機(jī)械強(qiáng)度，使用壽命長 石墨爐原子化器特點(diǎn) 與火焰原子化法相比，石墨爐原子化法具有如下特點(diǎn)： 1）靈敏度高、檢測(cè)限低 因?yàn)樵嚇又苯幼⑷胧軆?nèi)，樣品幾乎全部蒸發(fā)并參與吸收。試樣原子化是在惰性氣體保護(hù)下，還原性氣 的石墨管內(nèi)進(jìn)行的，有利于難熔氧化物的分解和自由原子的形成，自由原子在石墨管內(nèi)平均滯留時(shí)間長，因此管內(nèi)自由原子密度高，絕對(duì)靈敏度達(dá) 1012?1015克。 2）用樣量少 通常固體樣品為 ?10毫克，液體試樣為 5 ?50微升。因此石墨爐原子化特別適用于微量樣品的分析，但由于非特征背景吸收的限制，取樣量少，相對(duì)靈敏度低，樣品不均勻性的影響比較嚴(yán)重，方法精密度比火焰原子化法差，通常約為 2?5%。 3）試樣直接注入原子化器，從而減少溶液一些物理性質(zhì) 對(duì)測(cè)定的影響，也可直接分析固體樣品。 4）排除了火焰原子化法中存在的火焰組份與被測(cè)組份之間的相互作用，減少了由此引起的化學(xué)干擾。 5）可以測(cè)定共振吸收線位于真空紫外區(qū)的非金屬元素 I、 P、S等。 缺點(diǎn) 1） 石墨爐原子化法所用設(shè)備比較復(fù)雜，成本比較高 。 但石墨爐原子化器在工作中比火焰原子化系統(tǒng)安全 。 2）石墨爐產(chǎn)生的總能量比火焰小，因此基體干擾較嚴(yán) 重，測(cè)量的精密度比火焰原子化法差。 原子吸收光譜法的主要干擾有物理干擾、化學(xué)干擾、電離干擾、光譜干擾和背景干擾等。 1）物理干擾 物理干擾 是指 試液與標(biāo)準(zhǔn)溶液 物理性質(zhì) 有差異而產(chǎn)生的干擾。如粘度、表面張力或溶液的密度等的變化，影響樣品的霧化和氣溶膠到達(dá)火焰?zhèn)魉偷纫鹪游諒?qiáng)度的變化而引起的干擾。 消除辦法：配制與被測(cè)試樣組成相近的標(biāo)準(zhǔn)溶液或采用標(biāo)準(zhǔn)加入法。若試樣溶液的濃度高，還可采用稀釋法。 2）化學(xué)干擾 化學(xué)干擾 是由于 被測(cè)元素原子與共存組份 發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成穩(wěn)定的化合物 ，影響被測(cè)元素的原子化，而引起的干擾。 消除化學(xué)干擾的方法： （ 1）選擇合適的原子化方法 提高原子化溫度，減小化學(xué)干擾。使用高溫火焰或提高石墨爐原子化溫度，可使難離解的化合物分解。采用還原性強(qiáng)的火焰與石墨爐原子化法，可使難離解的氧化物還原、分解。 （ 2）加入釋放劑 釋放劑的作用 是釋放劑與干擾物質(zhì)能生成比被測(cè)元素更穩(wěn)定的化合物，使被測(cè)元素釋放出來。 例如，磷酸根干擾鈣的測(cè)定，可在試液中加入鑭、鍶鹽，鑭、鍶與磷酸根首先生成比鈣更穩(wěn)定的磷酸鹽，就相當(dāng)于把鈣釋放出來。 （ 3）加入保護(hù)劑 保護(hù)劑作用 是它可與被測(cè)元素生成易分解的或更穩(wěn)定的配合物，防止被測(cè)元素與干擾組份生成難離解的化合物。保護(hù)劑一般是有機(jī)配合劑。例如， EDTA、 8羥基喹啉。 （ 4）加入基體改進(jìn)劑 對(duì)于石墨爐原子化法，在試樣中加入基體改進(jìn)劑，使其在干燥或灰化階段與試樣發(fā)生化學(xué)變化，其結(jié)果可以增加基體的揮發(fā)性或改變被測(cè)元素的揮發(fā)性，以消除干擾 。 3）電離干擾 在高溫條件下，原子會(huì)電離，使基態(tài)原子數(shù)減少，吸光度下降，這種干擾稱為 電離干擾 。 消除電離干擾的方法 是加入過量的消電離劑。 消電 離劑 是比被測(cè)元素電離電位低的元素，相同條件下消電離劑首先電離，產(chǎn)生大量的電子，抑制被測(cè)元素的電離。 例如，測(cè)鈣時(shí)可加入過量的 KCl溶液消除電離干擾。鈣的電離電位為， 鉀的電離電位為 。 由于 K電離產(chǎn)生大量電子，使鈣離子得到電子而生成原子。 4）光譜干擾 （ 1）吸收線重疊 共存元素吸收線與被測(cè)元素分析線波長很接近時(shí)，兩譜線重疊或部分重疊，會(huì)使結(jié)果偏高。 （ 2）光譜通帶內(nèi)存在的非吸收線 非吸收線可能是被測(cè)元素的其它共振線與非共振線，也可能是光源中雜質(zhì)的譜線。一般通過減小狹縫寬度與燈電流或另選譜線消除非吸收線干擾。 5）背景干擾 背景干擾 也是一種光譜干擾。分子吸收與光散射是形成光譜背景的主要因素。 （ 1.）分子吸收與光散射 分子吸收 是指在原子化過程中生成的分子對(duì)輻射的吸收。分子吸收是帶狀光譜，會(huì)在一定的波長范圍內(nèi)形成 干擾。例如，堿金屬鹵化物在紫外區(qū)有吸收；不同的無機(jī)酸會(huì)產(chǎn)生不同的影響，在波長小于 250nm時(shí)， H2SO4 和 H3PO4有很強(qiáng)的吸收帶，而 HNO3和 HCl的吸收很小。因此，原子吸收光譜分析中多用 HNO3和 HCl配制溶液。 光散射 是指原子化過程中產(chǎn)生的微小的固體顆粒使光發(fā)生散射，造成透過光減小，吸收值增加。 2. 背景校正方法 一般采用儀器校正背景方法，有鄰近非共振線、連續(xù)光源、 Zeeman效應(yīng)等校正方法。 （ 1）鄰近非共振線校正法 背景吸收是寬帶吸收。分析線測(cè)量是原子吸收與背景吸收的總吸光度 AT， AT在分析線鄰近選一條非共振線，非共振線不會(huì)產(chǎn)生共振吸收，此時(shí)測(cè)出的吸收為背景吸收 AB 。兩次測(cè)量吸光度相減，所得吸光度值即為扣