【正文】 A點在俯視圖中為a，則B點在俯視圖中的位置為_________（填字母）。方解石的六方晶胞中，Ca2+和CO32個數(shù)比為___________；若阿伏加德羅常數(shù)為NA，則該方解石的密度為________g/cm3（列出計算式）。8．磷存在于人體所有細胞中，是維持骨骼和牙齒的必要物質(zhì)，幾乎參與所有生理上的化學(xué)反應(yīng)?；卮鹣铝袉栴}：(1)基態(tài)P原子的核外電子排布式為____________________，有___________個未成對電子。(2)磷的一種同素異形體一一白磷(P4)的立體構(gòu)型為_______________，其鍵角為___________，推測其在CS2中的溶解度___________(填“大于”或“小于”)在水中的溶解度。(3)兩種三角錐形氣態(tài)氫化物膦(PH3)和氨(NH3)176。和107176。，試分析PH3的鍵角小于NH3的原因_________________________________。(4)常溫下PCl5是一種白色晶體，其立方晶系晶體結(jié)構(gòu)模型如上左圖所示，由A、B兩種微粒構(gòu)成。將其加熱至148℃熔化，形成一種能導(dǎo)電的熔體。已知A、B兩種微粒分別與CClSF6互為等電子體，則A為___________，其中心原子雜化軌道類型為___________，B為___________。(5)磷化硼(BP)是一種超硬耐磨涂層材料，上圖為其立方晶胞，其中的每個原子均測是8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，試判斷其熔點___________(填“高于”或“低于”)金剛石熔點。已知其B—P鍵長均為xcm，則其密度為___________gcm－3(列出計算式即可)。9．(1)圖(a)是MgCu2的拉維斯結(jié)構(gòu)，Mg以金剛石方式堆積，八面體空隙和半數(shù)的四面體空隙中，填入以四面體方式排列的Cu。圖(b)是沿立方格子對角面取得的截圖?？梢姡珻u原子之間最短距離x=_________pm，Mg原子之間最短距離y=_________pm。設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則MgCu2的密度是_________gcm3（列出計算表達式）。(2)一種四方結(jié)構(gòu)的超導(dǎo)化合物的晶胞如圖1所示。晶胞中Sm和As原子的投影位置如圖2所示。圖中F和O2共同占據(jù)晶胞的上下底面位置，若兩者的比例依次用x和1x代表，則該化合物的化學(xué)式表示為__________；通過測定密度和晶胞參數(shù)，可以計算該物質(zhì)的x值，完成它們關(guān)系表達式：ρ=____gcm3。以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標系可以表示晶胞中各原子的位置，稱作原子分數(shù)坐標，例如圖1中原子的坐標為（，）則原子2和3的坐標分別為__________、__________。10．鈷、銅及其化合物在工業(yè)上有重要用途，回答下列問題：（1） 請補充完基態(tài)Co的簡化電子排布式：[Ar]______， Co2＋有________個未成對電子。（2）Na3[Co（NO2）6]常用作檢驗K＋的試劑， 配位體的中心原子的雜化形式為______， 空間構(gòu)型為______。大π鍵可用符號表示，其中m代表參與形成大π鍵的原子數(shù)，n為各原子的單電子數(shù)（形成σ鍵的電子除外）和得電子數(shù)的總和 （如苯分子中的大π鍵可表示為，則中大π鍵應(yīng)表示為________。（3）配合物[Cu（En）2]SO4的名稱是硫酸二乙二胺合銅（Ⅱ）, 是銅的一種重要化合物。其中 En 是乙二胺（H2NCH2CH2NH2）的簡寫。①該配合物[Cu（En）2]SO4中N、 O、 Cu的第一電離能由小到大的順序是__________。②乙二胺和三甲胺[N（CH3）3]均屬于胺， 且相對分子質(zhì)量相近， 但乙二胺比三甲胺的沸點高得多， 原因是___________（4） 金屬Cu晶體中的原子堆積方式如圖所示， 其配位數(shù)為________，銅原子的半徑為a nm, 阿伏加德羅常數(shù)的值為NA, Cu的密度為________ g/cm3（列出計算式即可）。11．新型儲氫材料是開發(fā)利用氫能的重要研究方向。（1）Ti(BH4)3是一種儲氫材料，可由TiCl4和LiBH4反應(yīng)制得。①基態(tài)Cl原子中，電子占據(jù)的最高電子層符號為__，該電子層具有的原子軌道數(shù)為__。②LiBH4由Li+和BH4構(gòu)成，BH4的立體構(gòu)型是__，B原子的雜化軌道類型是___。③Li、B元素的電負性由小到大的順序為___。（2）金屬氫化物是具有良好發(fā)展前景的儲氫材料。①LiH中，離子半徑：Li＋__H(填“”“＝”或“”)。②某儲氫材料是短周期金屬元素M的氫化物。M的部分電離能如下表所示：I1/kJmol1I2/kJmol1I3/kJmol1I4/kJmol1I5/kJmol1738145177331054013630M是__族元素。（3）圖2是立方氮化硼晶胞沿z軸的投影圖，請在圖中圓球上涂“●”和涂“”分別標明B與N的相對位置___。（4）NaH具有NaCl型晶體結(jié)構(gòu)，已知NaH晶體的晶胞參數(shù)a＝488pm，Na＋半徑為102pm，H的半徑為__，NaH的理論密度是__gcm3（保留3個有效數(shù)字）。12．銅單質(zhì)及其化合物在很多領(lǐng)域有重要的用途． ，超細銅粉可應(yīng)用于導(dǎo)電材料、催化劑等領(lǐng)域中；CuCl和都是重要的化工原料，常用作催化劑、顏料、防腐劑和消毒劑等． (1)超細銅粉的某制備方法如圖所示，中所含的化學(xué)鍵有 ______ ． (2)氯化亞銅的制備過程是：向溶液中通入一定量，微熱，反應(yīng)一段時間后即生成CuCl白色沉淀．反應(yīng)的離子方程式為 ______ ． ，廣泛應(yīng)用于樹木、果樹和花卉上，鮮藍色的膽礬晶體是配制波爾多液的主要原料．已知的部分結(jié)構(gòu)可表示如下： (1)寫出銅原子價電子層的電子排布式 ______ ，與銅同周期的所有元素的基態(tài)原子中最外層電子數(shù)與銅原子相同的元素有 ______ 填元素符號．(2)請在上圖中把結(jié)構(gòu)中的化學(xué)鍵表示出來．_____________(3)晶體中配位體是 ______ ，雜化軌道類型是雜化的原子是 ______ ． (4)金屬晶體Cu中原子的堆積方式如下圖甲所示，其晶胞特征如圖乙所示，原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如下圖丙所示． 已知代表阿伏加德羅常數(shù)，Cu的相對原子質(zhì)量為M，Cu單質(zhì)晶體的密度為d該晶體的空間利用率是 ______ ，Cu原子半徑的表達式為 ______ 用含、M、d的代數(shù)式表示【參考答案】***試卷處理標記，請不要刪除一、晶胞的相關(guān)計算1．C解析：C【解析】【分析】元素X位于第四周期，其基態(tài)原子的內(nèi)層軌道全部排滿電子，則內(nèi)層電子數(shù)=2+8+18=28，且最外層電子數(shù)為2，所以該原子有30個電子，為Zn元素；元素Y基態(tài)原子的p軌道上有1對成對電子，說明3p軌道上有4個電子，核外電子排布為1s22s22p63s23p4，則Y是S元素，則化學(xué)式為ZnS，據(jù)此解題?！驹斀狻緼．ZnS含有Zn2+和S2，屬離子晶體，故A錯誤；B．因為化學(xué)式為ZnS，所以Y2離子的配位數(shù)為4，則X2+離子的配位數(shù)也為4，故B錯誤；C．由晶胞可知，與每個X2+距離最近的X2+在其面心，則共有=12個，故C正確，D．離子晶體ZnO的晶格能比ZnS大，則ZnO的熔點比ZnS高，故D錯誤；故答案為C。2．C解析：X—射線衍射實驗 小于 Zn原子軌道中電子處于全滿狀態(tài)，較難失電子，Cu失去一個電子內(nèi)層電子達到全充滿穩(wěn)定狀態(tài) b 3:5 四面體空隙 【解析】【分析】（1）確定某種金屬互化物是晶體還是非晶體可通過X—射線衍射實驗測定；（2）軌道中電子處于全滿、全空、半滿時較穩(wěn)定，失去電子需要的能量較大，Zn原子軌道中電子處于全滿狀態(tài)，Cu失去一個電子內(nèi)層電子達到全充滿穩(wěn)定狀態(tài)，所以Cu較Zn易失電子；（3）[Ni(NH3)6](NO3)2中NH3與Ni2+之間為配位鍵；[Ni(NH3)6]2+與NO3之間為離子鍵；（4）①根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)示意圖計算晶胞中H2 與 Ni個數(shù)比；②Ni